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GAN041-650WSB 是一款采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 （GaN） FET。這是一個(gè) 常關(guān)器件，結(jié)合了Nexperia最新的高壓GaN HEMT H2技術(shù)和 低壓硅MOSFET技術(shù) — 提供卓越的可靠性和性能。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) • 超低反向恢復(fù)電荷 • 簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)（0 V 至 10 V 或 12 V） • 堅(jiān)固的柵極氧化物（±20 V 能力） • 高柵極閾值電壓 （4 V），具有非常好的柵極反彈抗擾度 • 反導(dǎo)模式下的源極漏極電壓非常低 • 瞬態(tài)過壓能力
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