本申請說明描述了如何使用高密度STM32F10xxx FSMC（柔性靜態(tài)存儲器控制器）外圍設(shè)備來驅(qū)動一組外部存儲器。為此，對STM32F10xxx FSMC控制器進行了概述。然后給出了存儲器接口實例，包括典型的FSMC配置、時序計算方法和硬件連接。

　　本申請說明基于安裝在STM3210E-EVAL上的存儲器，STM3210E-EVAL是用于高密度STM32F10xx器件的評估板。使用的存儲器是16位異步NOR閃存、8位NAND閃存和16位異步SRAM。

　　定義外部設(shè)備類型和相關(guān)特性的FSMC寄存器通常在引導(dǎo)時設(shè)置，并且直到下一次重置或上電時才更改。但是，可以隨時更改設(shè)置。

　　FSMC具有以下主要特征：

　　與靜態(tài)存儲器映射設(shè)備的接口，包括：

　　靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）

　　只讀存儲器（ROM）

　　NOR閃存

　　PSRAM（4個存儲庫）

　　兩組NAND Flash，帶有ECC硬件，最多檢查8K字節(jié)的數(shù)據(jù)

　　16位PC卡兼容設(shè)備

　　支持對同步設(shè)備（NOR Flash和PSRAM）的突發(fā)模式訪問

　　8位或16位寬數(shù)據(jù)總線

　　每個存儲器組的獨立芯片選擇控制

　　每個內(nèi)存庫的獨立配置

　　支持各種設(shè)備的可編程定時，特別是：

　　可編程等待狀態(tài)（最多15個）

　　可編程總線周轉(zhuǎn)周期（最多15次）

　　可編程輸出啟用和寫入啟用延遲（最多15）

　　獨立讀寫定時和協(xié)議，從而支持最廣泛的各種存儲器和定時。

　　寫入啟用和字節(jié)通道選擇輸出，用于PSRAM和SRAM設(shè)備

　　將32位寬的AHB事務(wù)轉(zhuǎn)換為對外部16位或8位設(shè)備的連續(xù)16位或8位訪問

　　寫FIFO，2個字長，每個字寬32位，只存儲數(shù)據(jù)而不存儲地址。因此，這個FIFO僅緩沖AHB寫突發(fā)事務(wù)。這使得寫慢速內(nèi)存和快速釋放AHB用于其他操作成為可能。一次只緩沖一個突發(fā)：如果在操作進行期間發(fā)生新的AHB突發(fā)或單個事務(wù)，則首先耗盡FIFO（FSMC將插入等待狀態(tài)直到當(dāng)前內(nèi)存訪問完成）。

　　外部異步等待控制

　　定義外部設(shè)備類型和相關(guān)特性的FSMC寄存器通常在引導(dǎo)時設(shè)置，并且直到下一次重置或上電時才更改。但是，可以隨時更改設(shè)置。