動態(tài)測試技術的快速發(fā)展使得高速數(shù)據(jù)存儲器變得越來越重要。為了滿足高帶寬和大容量存儲的要求，傳統(tǒng)的方式為采用FLASH陣列的方式。然而，NANDFLASH存在壞塊檢測、編碼校驗、擦寫均衡過于復雜等一系列缺陷，增加了系統(tǒng)開發(fā)成本，影響了項目開發(fā)效率和系統(tǒng)升級。eMMC（embedded Multi Media Card）因其速度快、設計簡單、便于升級與管理的優(yōu)勢，解決了NANDFLASH開發(fā)缺陷。針對傳統(tǒng)存儲器的上述問題，結合eMMC的優(yōu)勢，本文提出了一種采用eMMC新型存儲介質(zhì)的高速存儲器的設計思路。

　　本文首先對eMMC5.0規(guī)范進行了研究總結，并在此基礎上根據(jù)系統(tǒng)指標提出了整體設計方案。存儲器以FPGA作為主控制器，按照功能劃分為SFP光纖接口模塊、DDR3高速緩存模塊、eMMC陣列存儲模塊和與上位機通信的千兆網(wǎng)模塊。在系統(tǒng)邏輯設計中重點介紹了eMMC陣列控制邏輯的實現(xiàn)。通過對eMMC陣列的初始化單元、傳輸控制單元、命令接口單元以及陣列同步邏輯單元的設計，實現(xiàn)了eMMC陣列在HS400工作模式下的數(shù)據(jù)存儲。然后對系統(tǒng)其他模塊進行設計，配合完成整個系統(tǒng)的存儲功能。

　　最后，依據(jù)設計方案，搭建了硬件測試平臺。使用ChipScope、IBERT等對各個模塊進行了在線調(diào)試。重點對eMMC陣列控制器進行了調(diào)試，并對SFP光纖接口模塊和DDR3高速緩存模塊的邏輯進行了驗證。結果表明，本文設計的使用eMMC新型存儲介質(zhì)的高速固態(tài)存儲器能夠實現(xiàn)156MB/s的存儲帶寬，同時具有容量大、可移植強與系統(tǒng)升級容易等特點，滿足設計要求。

　　本文開展的基于eMMC陣列的高速固態(tài)存儲器的研究與設計，為后續(xù)動態(tài)測試領域的應用奠定了基礎。