本論文完成了一種應(yīng)用于集成于射頻芯片的LDO的分析與設(shè)計。本文主要從穩(wěn)定性、負載瞬態(tài)響應(yīng)、電源抑制比和噪聲四個方面進行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工藝完成了包括功率調(diào)整管、電阻反饋網(wǎng)絡(luò)和誤差放大器三個部分的電路設(shè)計，并用Cadence Spectre對設(shè)計的整體電路進行了仿真和優(yōu)化，最終實現(xiàn)電路的設(shè)計要求，而且可以在片內(nèi)集成?？稍?.1mA～300mA的負載電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，電路正常工作時溫度范圍：-55℃ ~+125℃，該電路工作電壓范圍為2.1～3.6V，輸出電壓1.8V，輸出電壓在全范圍的波動： ≤4mV，輸出電壓準精度：≤10mV，最小壓差在300mV以下，靜態(tài)電流≤60uA；在10Hz～100KHz 范圍內(nèi)的內(nèi)部輸出噪聲積分約為，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA；電源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；線性調(diào)整率：≤0.1%；負載調(diào)整率：≤1%；啟動時間：≤100us；電壓瞬態(tài)響應(yīng)：≤30us；負載瞬態(tài)響應(yīng)： ≤50us；輸出啟動電壓過沖：≤100mV；集成輸入欠壓過壓保護、輸出斷路保護。另外集成過溫保護以及輸入軟啟動電路。

　　LDO 芯片的特點

　　低靜態(tài)電流

　　0.1mA～300mA的負載電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，帶載能力強

　　在10Hz～100KHz范圍內(nèi)的內(nèi)部輸出噪聲小

　　高電源抑制比（PSRR，在100KHZ以下）

　　可全片內(nèi)集成

　　LDO 芯片的詳細性能參數(shù)

　　下面將集中講述一下此次芯片電路設(shè)計應(yīng)該滿足的條件，以便于在電路設(shè)計過程中有一個總體的設(shè)計框架和設(shè)計思路。

　　衡量LDO的性能參數(shù)較多，下面介紹主要的幾種性能參數(shù)。從對這些性能的分析過程中，可以看到各個性能之間不是獨立的，性能和性能之間會相互影響和制約。因此，在設(shè)計時，要根據(jù)具體要求來具體分析。