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在認真研究雙極注入型功率半導(dǎo)體器件通態(tài)特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合裝置整機廠的并聯(lián)技術(shù)經(jīng)驗，從器件角度，提出了功率半導(dǎo)體器件的直接均流技術(shù)，這一技術(shù)已得到了成功驗證。
無論是基礎(chǔ)功率半導(dǎo)體器件如：整流二極管（ Rectifier diodes 簡稱RD，含快恢復(fù)整流二極管FRD）、晶閘管（SCR，含快速、高頻晶閘管） 、雙向晶閘管（ Triac ）、逆導(dǎo)晶閘管（ RCT）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件如：門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（ IGBT），由于這些器件都屬于雙極注入器件，故其通態(tài)特性最后都歸結(jié)到PiN 功率二極管的通態(tài)特性上來。
在實際應(yīng)用中，往往有多個器件的并聯(lián)問題，而并聯(lián)的核心就是均流，說到底是一個PiN 功率二極管的通態(tài)特性問題。將PiN 功率二極管的通態(tài)特性認真研究清楚了， 不用任何特殊均流措施的直接均流問題就解決好了。PiN功率二極管的通態(tài)特性研究清楚了， 直接均流問題解決好了，就不難推廣到FRD、SCR甚至是GTO、GCT、IGCT等的直接并聯(lián)均流。屆時將著眼點僅僅集中到些微差別上也就足夠了。然而國內(nèi)的許多現(xiàn)實令人遺憾：在一些人的眼里連晶閘管都早已研究過了， ，哪里還談得上最簡單的PiN 功率二極管的再研究呢？
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