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一種BiCMOS能隙基準(zhǔn)電壓電路

2009-08-17 | rar | 175 | 次下載 | 3積分

資料介紹

設(shè)計(jì)了一種采用BiCMOS工藝的高精度能隙基準(zhǔn)電壓電路,該基準(zhǔn)電壓源主要用于線性穩(wěn)壓器。在CSMC 0.6um工藝條件下,使用CADAENCE SPECTRE仿真工具進(jìn)行仿真可得溫度在20C~80C變化時(shí),其輸出電壓變化率為0.25mV/C;電源電壓在4V~8V變化時(shí),其輸出電壓變化率為6.25mV/V。
基準(zhǔn)電壓源是模擬集成電路極為重要的組成部分。它對(duì)模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展具有重要作用。在許多集成電路電路中,如數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC)、線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器都需要精密而又穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓。因此基準(zhǔn)電壓電路對(duì)于溫漂?精度有關(guān)的指標(biāo)要求比較高。為了實(shí)現(xiàn)高精度,通常都用硅半導(dǎo)體材料本身固有的特征電壓作為基準(zhǔn)電壓,但由于硅半導(dǎo)體材料具有一定的溫度系數(shù),所以為解決溫漂問(wèn)題,通常選擇一種與基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)極性相反但絕對(duì)值相近的器件或電路(如 BEVΔ電路),使兩者結(jié)合起來(lái),相互溫度補(bǔ)償,使總體溫度系數(shù)近似為零。根據(jù)這個(gè)基本設(shè)計(jì)思路,基準(zhǔn)電壓一般可以分為三種:隱埋齊納二極管基準(zhǔn)電壓、能隙基準(zhǔn)電壓、XFET基準(zhǔn)電壓。
BiCMOS
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