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      使用亞閾值MOS晶體管和單BJT實(shí)現(xiàn)的帶隙基準(zhǔn)電壓源論文免費(fèi)下載

      2019-09-30 | pdf | 1.77 MB | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      　　介紹了一種采用亞閾值mos晶體管和單bjt的低溫系數(shù)（tc）和大功率電源紋波抑制（psrr）cmos子帶隙基準(zhǔn)電壓源（sub-bgr）電路。所提出的子bgr包括一種基于bjt的標(biāo)度發(fā)射極基極電壓的新型絕對溫度互補(bǔ)（ctat）電壓發(fā)生器和一種基于子vth mosfet的vgs疊加的改進(jìn)的絕對溫度比例（ptat）電壓發(fā)生器。由于ctat電路實(shí)現(xiàn)負(fù)tc的減小絕對值，ptat電路在不消耗較大芯片面積的情況下實(shí)現(xiàn)了降低功耗。該子bgr電路采用標(biāo)準(zhǔn)的0.18μm cmos工藝實(shí)現(xiàn)。測試結(jié)果表明，在功耗僅為85nw的情況下，子bgr電路的供電電壓可降至0.9v。在整個(gè)頻率范圍內(nèi)，平均tc為33.7ppm/℃，psrr優(yōu)于-40db。

      電壓源 發(fā)生器 晶體管
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