資料介紹
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采用微電子平面工藝,用寬禁帶半導(dǎo)體n-4H-SiC和金屬Au(或Ni)形成肖特基接觸,Ti、Ni、Ag合金在背底作歐姆接觸,制備出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光電探測(cè)器。測(cè)試分析了這兩種器件的光譜響應(yīng)特性及其I-V 特性。其光譜響應(yīng)范圍均是200~400nm,室溫?zé)o偏壓下,Au/n-4H-SiC的光譜響應(yīng)峰值在310nm,光譜響應(yīng)半寬是73nm,室溫7V偏壓下光譜響應(yīng)峰值86.72mA/W,量子效率可達(dá)37.15%,Ni/n-4H-SiC相應(yīng)的參數(shù)分別為300nm、83nm、45.84mA/W 及18.98%。Au/n-4H-SiC室溫下正向開啟電壓0.81V,Ni/n-4H-SiC是0.52V,兩者反向擊穿電壓均大于200V,反向漏電流小于1×10-10A。

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