資料介紹
引言
為什么有些工程團(tuán)隊可以相對容易地檢驗和調(diào)試間歇性存儲器問題,而有些團(tuán)隊則會非常費力呢?在試圖確定間歇性存儲器問題的根本原因時,怎樣才能保證不會浪費寶貴的時間呢?
存儲器問題的典型原因包括定時關(guān)系達(dá)到邊界、違反協(xié)議、時鐘完整性問題、信號完整性問題、其它總線的錯誤、BIOS對片內(nèi)端接(ODT)的設(shè)置不正確、Cas時延無效等等。怎樣確定哪一個才是導(dǎo)致設(shè)計問題的真正原因呢?
本應(yīng)用指南概括介紹了調(diào)試方法,介紹了多種工具和技術(shù)。在DDR和DDR2系統(tǒng)(包括全面緩沖的DIMM的SDRAM一側(cè))中調(diào)試存儲器問題時,您可以利用這些工具和技術(shù),不但節(jié)約時間,而且能幫助您更好地了解系統(tǒng)性能。
為什么有些工程團(tuán)隊可以相對容易地檢驗和調(diào)試間歇性存儲器問題,而有些團(tuán)隊則會非常費力呢?在試圖確定間歇性存儲器問題的根本原因時,怎樣才能保證不會浪費寶貴的時間呢?
存儲器問題的典型原因包括定時關(guān)系達(dá)到邊界、違反協(xié)議、時鐘完整性問題、信號完整性問題、其它總線的錯誤、BIOS對片內(nèi)端接(ODT)的設(shè)置不正確、Cas時延無效等等。怎樣確定哪一個才是導(dǎo)致設(shè)計問題的真正原因呢?
本應(yīng)用指南概括介紹了調(diào)試方法,介紹了多種工具和技術(shù)。在DDR和DDR2系統(tǒng)(包括全面緩沖的DIMM的SDRAM一側(cè))中調(diào)試存儲器問題時,您可以利用這些工具和技術(shù),不但節(jié)約時間,而且能幫助您更好地了解系統(tǒng)性能。
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