半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座如何安裝？

半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座的安裝涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素，以確保光刻機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和產(chǎn)品質(zhì)量。首先，選擇合適的防震基座需要考慮適應(yīng)工作環(huán)境。由于半導(dǎo)體設(shè)備...

2025-02-05 標(biāo)簽：光刻機(jī)基座半導(dǎo)體設(shè)備 592 0

如何提高光刻機(jī)的NA值

本文介紹了如何提高光刻機(jī)的NA值。 為什么光刻機(jī)希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ? 如上圖是某型號(hào)的光刻機(jī)配置，每代光刻機(jī)的NA值會(huì)...

2025-01-20 標(biāo)簽：NA光刻機(jī) 1242 0

光刻機(jī)的分類與原理

本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光...

2025-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī) 2264 0

組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)...

2025-01-07 標(biāo)簽：照明光源光刻機(jī) 2060 0

用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹

? 本文介紹了用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過(guò)去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長(zhǎng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)光刻技術(shù) 2287 0

一文看懂光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)及雙工件臺(tái)技術(shù)

? 集成電路作為現(xiàn)代信息技術(shù)的核心與基石，其發(fā)展一直遵循著Intel創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出的摩爾定律：價(jià)格不變時(shí)，約每隔18-24個(gè)月，集成度增加一倍...

2024-11-22 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī) 4317 0

光刻機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

雖然DUVL機(jī)器可以通過(guò)多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成...

2024-04-25 標(biāo)簽：光源晶體管光刻機(jī) 4897 0

光刻機(jī)的常見(jiàn)類型解析

光刻機(jī)有很多種類型，但有時(shí)也很難用類型進(jìn)行分類來(lái)區(qū)別設(shè)備，因?yàn)橛行┓诸悆H是在某一分類下的分類。

2024-04-10 標(biāo)簽：攝像機(jī)晶體管光刻機(jī) 2688 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開(kāi)的力度，鍵能越大，需要拉開(kāi)的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標(biāo)簽：SiC晶片光刻機(jī) 1571 0

光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標(biāo)簽：芯片集成電路芯片制造 8253 0

刻蝕機(jī)是干什么用的 刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 1.4萬(wàn) 0

淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)...

2024-03-08 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 1938 0

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”

利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)光刻膠 1447 0

EUV反射鏡的鍍膜工藝：如何選擇合適的鍍膜機(jī)

對(duì)基板移動(dòng)進(jìn)行仔細(xì)管理和將基板支架的機(jī)械公差降至最低，實(shí)現(xiàn)無(wú)與倫比的厚度均勻性濺射工藝的卓越穩(wěn)定性和極高水平的層厚度精度。

2024-02-21 標(biāo)簽：光譜反射鏡鍍膜機(jī) 1885 0

淺談半導(dǎo)體設(shè)備高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)

對(duì)于芯片制造來(lái)講，光刻是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，可以說(shuō)，沒(méi)有光刻機(jī)，就沒(méi)有現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)。在集成電路制造過(guò)程中，光刻工藝的費(fèi)用約占制造成本的1/3 左右，耗費(fèi)...

2024-01-31 標(biāo)簽：芯片制造CMP光刻機(jī) 3268 0

高數(shù)值孔徑EUV光刻：引領(lǐng)下一代芯片制造的革命性技術(shù)

摩爾定律是指在給定面積的硅片上，晶體管的數(shù)量大約每?jī)赡攴环?，這種增益推動(dòng)了計(jì)算技術(shù)的發(fā)展。在過(guò)去半個(gè)世紀(jì)里，我們將該定律視為一種類似進(jìn)化或衰老的不可避...

2024-01-24 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管芯片制造 1178 0

晶圓需要拋光的原因分析

　光刻機(jī)的鏡頭要實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的成像分辨率，就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑（Numerical Aperture），但這同時(shí)會(huì)導(dǎo)致焦深（DoF）的下降，焦深是指...

2024-01-22 標(biāo)簽：晶圓芯片制造半導(dǎo)體器件 1221 0