基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析，對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn)，由化簡(jiǎn)的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管PN結(jié)擊穿電壓 1744 0

淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個(gè)名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1591 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）

下面對(duì)電場(chǎng)積分，我們看看隨著增長(zhǎng)，即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng)，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)擊穿電壓 1315 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu)，因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1201 0

TVS二極管可以并聯(lián)使用嗎

TVS二極管的主要作用是保護(hù)電子設(shè)備免受瞬時(shí)過(guò)電壓或浪涌電壓的損害。這些瞬時(shí)過(guò)電壓通常由電氣干擾、雷擊、電氣開(kāi)關(guān)操作等因素引起。TVS二極管通過(guò)其優(yōu)異的...

2024-12-05 標(biāo)簽：二極管TVS擊穿電壓 1105 0

高頻小功率晶體管設(shè)計(jì)

產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1071 0

TVS二極管該如何正確的選用

TVS二極管是一種用于保護(hù)敏感電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊（如雷擊、靜電放電等）損壞的器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，TVS二極管的正確選用是確保電路可靠性和穩(wěn)定性...

2024-08-29 標(biāo)簽：二極管TVS擊穿電壓 999 0

氣體放電管怎樣選型

一、GDT參數(shù)選擇步驟關(guān)于GDT的選型上海雷卯EMC小哥引用“AC220V線路進(jìn)行2kV線間和4kV線對(duì)地的過(guò)電壓防護(hù)”案例來(lái)闡述GDT的選型。1.續(xù)流...

2024-08-02 標(biāo)簽：擊穿電壓氣體放電管gdt 850 0

求一種1.5手機(jī)USB端口靜電浪涌保護(hù)方案

方案優(yōu)點(diǎn)：本方案采用2級(jí)防護(hù),節(jié)約空間，提供大浪涌器件前級(jí)保護(hù),適合國(guó)際市場(chǎng)。后級(jí)采用DFN1006-3雙路器件防靜電，滿足IEC61000-4-2，接...

2024-03-18 標(biāo)簽：ESDTVSUSB端口 736 0

功率二極管噪聲特性

根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí)，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。

2023-07-12 標(biāo)簽：功率二極管電阻器單晶硅電池 521 0

MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解：功耗、電流與擊穿電壓如何權(quán)衡？

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MDD穩(wěn)壓二極管（ZenerDiode）作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件，廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過(guò)壓保護(hù)等場(chǎng)景。為了確保其在電路中...

2025-05-14 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管擊穿電壓MDD 311 0

有源鉗位吸收器電路設(shè)計(jì)與數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式

隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大，導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴，另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(shì)有哪些？

2019-01-15 標(biāo)簽：MOSFET有源鉗位電流吸收器 0 0