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標(biāo)簽 > 功率元器件
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關(guān)于功率模塊冷卻的六個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題
引言功率模塊是電力電子領(lǐng)域必不可少的元器件,它們具有功率轉(zhuǎn)換和功率管理的功能。但是,它們?cè)诠ぷ鬟^(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量,這會(huì)導(dǎo)致性能下降,甚至損壞元器件。因...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性,但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
整流橋作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn) 把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(II),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一...
表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開(kāi)始一系列有關(guān)Si功率元器件通過(guò)PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
測(cè)量柵極和源極之間電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性,但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
ROHM開(kāi)發(fā)出針對(duì)150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)
與硅器件相比,GaN器件具有更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開(kāi)關(guān)性能,因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開(kāi)關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非??斓拈_(kāi)關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3820 0
5G基建催生龐大電源需求,且看羅姆的應(yīng)對(duì)之策
隨著5G信號(hào)逐漸大規(guī)模覆蓋,大量5G基站的新建與重建以及4G基站的擴(kuò)容已經(jīng)逐步開(kāi)工,這勢(shì)必會(huì)為電源市場(chǎng)帶來(lái)新的機(jī)會(huì),對(duì)鋰電池、機(jī)房溫控設(shè)備、基礎(chǔ)元件的需...
探訪三亞FE現(xiàn)場(chǎng),揭秘文圖瑞車隊(duì)精彩逆變
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊(duì)一同走過(guò)了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車隊(duì)勇奪冠軍,這背后離不開(kāi)技術(shù)人員的默默付出。
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