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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-13 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)功率器件功率半導(dǎo)體器件 795 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,吸收電容是一種常見(jiàn)的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,IGBT模塊在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對(duì)這些作用的分析: 高效率:IG...
IGBT模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率、高效率等特點(diǎn)。 IGBT模塊的基本概念 IGBT(Insulate...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)重要組成部分是...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電阻 2349 0
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 1793 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...
用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量igbt好壞判斷
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬(wàn)用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 3856 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT電力電子驅(qū)動(dòng)電壓 1894 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 5092 0
igbt驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高過(guò)低的后果
IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...
2024-07-25 標(biāo)簽:發(fā)射極IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 2222 0
在晶體管和MOSFET等器件中,整流柵的控制電壓可以控制電流通過(guò)器件的方向。當(dāng)整流柵施加正向電壓時(shí),它將通導(dǎo),讓電流從源極流向漏極,實(shí)現(xiàn)正向電流的導(dǎo)通。
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有很多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。 優(yōu)點(diǎn): 1.高頻率特性:GaN芯片具有優(yōu)秀的高...
圖騰柱(Totem Pole)是一種用于驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu),它通過(guò)驅(qū)動(dòng)NPN和PNP晶體管形成雙極性開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流放大和開(kāi)關(guān)控制功能。功率...
2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管PFC功率半導(dǎo)體器件 2169 0
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類(lèi)型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
DBC基板銅箔厚度較大(一般為100μm~600μm),可滿(mǎn)足高溫、大電流等極端環(huán)境下器件封裝應(yīng)用需求(為降低基板應(yīng)力與翹曲,一般采用Cu-Al2O3-...
2023-07-01 標(biāo)簽:電子封裝陶瓷基板功率半導(dǎo)體器件 6395 0
功率半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀與前沿趨勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分,隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高,功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新。目前,功率...
2023-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件 4622 0
功率半導(dǎo)體器件有哪些_功率半導(dǎo)體器件工藝流程
功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件,主要包括以下幾種類(lèi)型: 二極管:功率二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,常用...
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率半導(dǎo)體器件 3844 0
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