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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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半橋驅(qū)動器和全橋驅(qū)動器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動器,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。
2024-08-28 標(biāo)簽:全橋驅(qū)動器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 6076 0
半橋驅(qū)動器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動器,主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對半橋驅(qū)動器的詳細(xì)解析,包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。
2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 4793 0
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢,但同時也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2835 0
一文搞懂掃描電鏡(SEM)技術(shù)解讀與大功率半導(dǎo)體模塊封裝解析
從本質(zhì)上講,SEM "觀察"樣品表面的方式可以比作一個人獨自在暗室中使用手電筒(窄光束)掃描墻上的物體。從墻的一側(cè)到另一側(cè)進(jìn)行掃描,...
2024-08-08 標(biāo)簽:封裝SEM功率半導(dǎo)體 7087 0
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件,在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢,成為各種電源或電源模塊的...
2024-08-06 標(biāo)簽:處理器功率半導(dǎo)體是德科技 1384 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2160 0
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率半導(dǎo)體通常由硅(S...
2024-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體寬禁半導(dǎo)體 965 0
在電力電子領(lǐng)域,面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標(biāo)往往相互矛盾,導(dǎo)致必須做出妥協(xié)。更高的電流會導(dǎo)致器件內(nèi)部的熱應(yīng)力增加...
2024-07-25 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 494 0
功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣,這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片,還提供了電氣和機(jī)械連接,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對功率半導(dǎo)體主要封裝方式的...
2024-07-24 標(biāo)簽:封裝晶體管功率半導(dǎo)體 2385 0
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點在功率半導(dǎo)體器件中...
共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推...
2024-07-21 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 2141 0
實施雙脈沖測試,不僅能精確測量功率設(shè)備的開關(guān)特性和損耗,而且能進(jìn)一步優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換過程。通過Tektronix 4B/5B/6B 系列 MSO 上的WBG...
2024-07-03 標(biāo)簽:示波器泰克功率半導(dǎo)體 1317 0
功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排
相信大家都知道,全球氣候變暖問題日益嚴(yán)重,節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導(dǎo)體技術(shù),作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一,在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。...
2024-06-12 標(biāo)簽:電子設(shè)備晶體管功率半導(dǎo)體 796 0
可控硅,也稱為硅控整流器(SCR),是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于交流電路中的相位控制、整流、穩(wěn)壓、無觸點開關(guān)等應(yīng)用。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬 0
晶閘管(SCR)是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于電力電子領(lǐng)域中的電壓和電流控制。
2024-05-24 標(biāo)簽:晶閘管SCR功率半導(dǎo)體 5410 0
晶閘管,也稱為可硅控整流器(SCR),是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于交流電路中的電壓和功率控制。
2024-05-24 標(biāo)簽:晶閘管SCR功率半導(dǎo)體 2219 0
用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET
效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場驅(qū)動力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2810 0
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