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功率半導體

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功率半導體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導體技術(shù)

一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

2024-11-14 標簽：半導體晶體 SiC 2.4k 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

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被動元件：電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?

在電路中使用三種類型的被動元件：電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時，其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件，對電壓和電流的...

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IGB基本知識匯總

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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導體的熱阻

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功率半導體封裝的趨勢分析

隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...

2024-10-15 標簽：封裝氮化鎵功率半導體 1.2k 0

超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

在我們進入超結(jié)MOSFET的細節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。

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功率半導體模塊的功率循環(huán)

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功率半導體讓生活更美好

2024-09-20 標簽：電機驅(qū)動電力電子功率半導體 869 0

功率半導體設(shè)備供電解決方案

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半橋驅(qū)動器的工作原理和應(yīng)用

半橋驅(qū)動器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動器，主要用于控制電機、電源轉(zhuǎn)換和其他負載設(shè)備。以下是對半橋驅(qū)動器的詳細解析，包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。

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GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺...

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探秘銅基板：IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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