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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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想讓大家了解什么是功率半導(dǎo)體,那么在此之前有必要先說說人類社會(huì)技術(shù)革命至關(guān)重要的幾次飛躍
2023-02-02 標(biāo)簽:芯片交流電功率半導(dǎo)體 3692 0
對(duì)于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì),最大限度地提高電源效率非常重要。在移動(dòng)設(shè)備中,更好的電源效率可提供更長(zhǎng)的電池壽命,這是一個(gè)關(guān)鍵賣點(diǎn)。對(duì)于基本上任何應(yīng)用...
2022-04-20 標(biāo)簽:SBR功率半導(dǎo)體 3663 0
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3650 0
隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,三電平拓?fù)鋸V泛應(yīng)用在光伏逆變器,儲(chǔ)能PCS和UPS等各種系統(tǒng)中。在設(shè)計(jì)中,追求的重要目標(biāo)是功率密度和性價(jià)比,充分挖掘逆變器的潛...
2024-04-24 標(biāo)簽:逆變器DPWM功率半導(dǎo)體 3643 0
驗(yàn)證功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的CV測(cè)量挑戰(zhàn)
對(duì)于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來越重要,高壓電容-電壓 (CV) 測(cè)量可用于預(yù)測(cè)關(guān)鍵動(dòng)態(tài)特性
2022-08-29 標(biāo)簽:CV功率半導(dǎo)體電容容量 3619 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...
2022-06-02 標(biāo)簽:變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 3609 0
銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(jié)(見圖 1)是一種應(yīng)用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。
2021-11-12 標(biāo)簽:熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3551 0
功率半導(dǎo)體迎來SiC時(shí)代?碳化硅(SiC)的需求快速增長(zhǎng)
在新能源汽車終端市場(chǎng)中,隨著SiC材料價(jià)格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長(zhǎng),來自于車載充電、驅(qū)動(dòng)逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 3527 0
功率半導(dǎo)體二極管,簡(jiǎn)稱為功率二極管,與其較小的結(jié)構(gòu)信號(hào)二極管相比具有更大的PN結(jié)面積,從而實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)百安培(KA)的高正向電流能力和高達(dá)數(shù)百安培的反...
IGBT功率模塊的熱阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究
隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展,在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn),熱產(chǎn)生問題日益突出,對(duì)散熱的要求越來越高,IGBT 芯片是產(chǎn)生...
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展:7代技術(shù)及工藝改進(jìn)
新能源汽車的成本構(gòu)成中,最大頭當(dāng)然是動(dòng)力電池,第二高的就是IGBT。 在電動(dòng)汽車特斯拉Model 3上,提供電源的是,7000節(jié)18650電池,這些...
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 3364 0
功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備,電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機(jī)、電源、太陽(yáng)能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。 常常有人將功...
2023-02-02 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體功率IC 3360 0
簡(jiǎn)述碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料...
2023-02-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3176 0
在新能源汽車領(lǐng)域,低壓的繼電器和保險(xiǎn)已逐步被電力電子器件取代,機(jī)械電子化成為發(fā)展趨勢(shì)。因?yàn)殡娮悠骷〈鷻C(jī)械繼電器,不僅大大提高了壽命,沒有開關(guān)噪音,同時(shí)...
2023-11-16 標(biāo)簽:新能源汽車固態(tài)繼電器SiC 3137 0
車規(guī)模塊系列(四):Cu-Clip互連技術(shù)簡(jiǎn)析
在上篇討論TPAK封裝時(shí),我們聊到了Cu-Clip技術(shù),當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中
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