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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法, 使用時使流過負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器, 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢
半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會的物理基石,并已成為推動各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動力,這點已是當(dāng)前的社會共識。而功率器件正是半...
從電子流動的方向出發(fā),阻礙電子流動的參數(shù)為電阻,在高頻領(lǐng)域稱為阻抗,在實際電路中,電路工作過程會產(chǎn)生大量功耗,所有的功耗均需要進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,其中,熱能是...
碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢,以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...
碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?
中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...
功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等功能的...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動汽車、混合動力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10,實現(xiàn)低功耗化;同時,能將新能源汽車的效率提...
深度解析通用汽車奧特能無線電池管理系統(tǒng)及應(yīng)用框圖
電池包還可根據(jù)軸距允許的電池外殼尺寸在每層裝入6塊到12塊不等的電池模組,使得車輛上裝載的總電池模組數(shù)量從最少6塊(6x1層),到多達(dá)24塊(12x2層...
2023-10-24 標(biāo)簽:輸出電壓電池管理系統(tǒng)功率器件 822 0
汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?,F(xiàn)在在最低功率級別,MOSFET可以與功率...
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗,總覺得這個不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動,然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng),采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點
不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件,它利用氮化鎵材料的特性來實...
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