完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
文章：1827個(gè) 瀏覽：92448次 帖子：50個(gè)
金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和...
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路，設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動(dòng)電路，并提出了- -種結(jié)溫反推方法，提升了結(jié)...
DBA直接覆鋁陶瓷基板：功率器件封裝材料來勢(shì)洶洶！
DBA直接覆鋁陶瓷基板（Direct Bonding Aluminum Ceramic Substrate，簡稱DBA）是一種新型的電子材料，將會(huì)成為未...
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離，優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強(qiáng)，使用壽命長，傳輸效率高。
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...
2023-05-17 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電路 2186 0
功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告：能源變革大時(shí)代，功率器件大市場
MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu) 點(diǎn)，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 ...
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公...
變頻器是工業(yè)上常用的驅(qū)動(dòng)功率器件，一般被用于驅(qū)動(dòng)異步電機(jī)的調(diào)速運(yùn)行。當(dāng)然隨著目前技術(shù)的發(fā)展，變頻器所能完成的工作已經(jīng)不僅僅只有電機(jī)的調(diào)速了，通過變頻器上...
比亞迪丨電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)發(fā)展及關(guān)鍵技術(shù)
扁線電機(jī)2021年滲透率約為27%，預(yù)計(jì)今年滲透率可達(dá)40%，隨著扁線技術(shù)的成熟，未來用量增長迅猛。
2023-05-10 標(biāo)簽：比亞迪驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 745 0
碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
隨著半導(dǎo)體封裝尺寸日益變小，普遍應(yīng)用于大功率器件上的粗鋁線鍵合技術(shù)不再是可行的選擇。
貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB（印刷電路板）之間的接觸，利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的...
IGBT 作為新能源汽車電機(jī)控制器的核心部件，直接決定了電動(dòng)汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫，并結(jié)合 CLTC...
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
功放，顧名思義就是功率放大的縮寫，與電壓或者電流放大來說，功放要求獲得一定的、不失真的功率，一般在大信號(hào)狀態(tài)下工作。
FPGA SoC電源應(yīng)用中集成柔性功率器件的使用
工業(yè)電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)是更小的電路板尺寸、更時(shí)尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢(shì)，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須降低印刷電路板（PCB）的尺寸和成本。使用現(xiàn)場可...
2023-04-28 標(biāo)簽：fpga轉(zhuǎn)換器ldo 869 0
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí)，其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值），電流耐量則得按器件...
2023-04-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源BUCK變換器 820 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
