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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
文章：2110個(gè) 瀏覽：95479次 帖子：53個(gè)
我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)速度非?？?，1秒可以開(kāi)關(guān)上千次(kHz)，高速功率器件可達(dá)到幾十kHz，甚至上百kHz。開(kāi)關(guān)速度越快意味著...
英飛凌無(wú)磁芯變壓器（CT）隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹
無(wú)磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)，具有高共模瞬變抗擾度、精密時(shí)序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...
2022-04-18 標(biāo)簽：英飛凌功率器件隔離驅(qū)動(dòng)芯片 6.3k 1
驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流，太小驅(qū)動(dòng)能力不足，增加功率器件損耗，太大可能引起開(kāi)通振蕩。
2022-05-01 標(biāo)簽：IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 5.2k 0
英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)能輕松駕馭更高dv/dt
通過(guò)上述的分析對(duì)比，英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時(shí)、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對(duì)光耦都有...
控制外延層的摻雜類(lèi)型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
成功實(shí)現(xiàn)功率器件熱設(shè)計(jì)的四大步驟
鐵路、汽車(chē)、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量（實(shí)現(xiàn)脫碳），需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...
2022-03-25 標(biāo)簽：電力電子功率器件熱設(shè)計(jì) 3.2k 0
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2022-03-21 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源功率器件集電極 5.5k 0
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 3k 0
SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
功率器件在工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿(mǎn)足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間，ROHM使用專(zhuān)有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
由于TOPSwitch-GX的高度集成，芯片中解決了許多電源設(shè)計(jì)問(wèn)題。剩下很少的問(wèn)題需要外部解決，從而為所有應(yīng)用提供了一種通用的電路配置。
功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中越來(lái)越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對(duì)尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...
基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...
RX62T微控制器和功率器件相結(jié)合的電機(jī)控制解決方案
RX62T 組中的 32 位微型計(jì)算機(jī)具有增強(qiáng)的電機(jī)控制功能，可簡(jiǎn)化無(wú)傳感器矢量控制應(yīng)用。
ADI出色的熱設(shè)計(jì)和緊湊型電源設(shè)計(jì)解決方案
隨著技術(shù)不斷進(jìn)步，所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多，可用空間卻在不斷減少。手機(jī)有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車(chē)儀表盤(pán)上只有基本...
2020-12-23 標(biāo)簽：adi電源設(shè)計(jì)emi 2k 0
I D I_DID 為漏極電流的有效值，由于輸出波形是正弦波，所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。
碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域
在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時(shí)甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。
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