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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術

SJMOS微逆變是什么？有哪些優(yōu)點？

“光伏”是當下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機不斷加劇，太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關注。在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，光伏逆變器的作用不...

2024-10-15 標簽：太陽能功率器件光伏逆變器 511 0

IGBT短路耐受時間的重要性

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時間（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的電氣特性（參數(shù)）。通常，在IGBT等功...

2024-10-08 標簽：IGBT 功率器件功率元器件 793 0

功率器件模塊：一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實現(xiàn) EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應。

2024-09-26 標簽：半導體 emi 電磁干擾 523 0

碳化硅功率器件的工作原理和應用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 1051 0

碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應用于電力...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件碳化硅 594 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應用領域

在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 1228 0

功率半導體器件測試解決方案

功率半導體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術含量及性能水平...

2024-09-12 標簽：功率器件功率半導體碳化硅 713 0

IGBT熱管理解決方案

自20世紀80年代開發(fā)以來，IGBT已成為風能、太陽能等高壓可再生能源應用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關鍵。功率半導體、功率器件、IGBT三者...

2024-09-12 標簽：IGBT 功率器件熱管理 1067 0

碳化硅功率器件的原理簡述

隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子領域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨特的性能優(yōu)勢，逐漸成為業(yè)界關注的焦點。本文將深入探...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 1080 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 901 0

碳化硅功率器件的技術優(yōu)勢

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應用需求。在這一背景下，碳化硅（S...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 536 0

碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢

隨著全球能源結構的轉型和電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導體材料，正逐漸成為電力電子領域的璀璨明星。其獨特的物理和化學屬性，...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 780 0

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 993 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們...

2024-09-10 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 2948 0

什么是SiC功率器件？它有哪些應用？

SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 3662 0

mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是電子工...

2024-10-06 標簽：MOSFET 電壓場效應晶體管 4856 0

CoolGaN和增強型GaN區(qū)別是什么

CoolGaN和增強型GaN（通常指的是增強型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

2024-09-07 標簽：晶體管功率器件 GaN 988 0

如何通過創(chuàng)新封裝技術提升功率器件性能

由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉換過程中，高溫和溫度波動限制了設備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結...

2024-09-03 標簽：芯片功率器件功率模塊 736 0

芯干線科技GaN功率器件及應用

第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎。隨著技術的發(fā)展，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標簽：半導體功率器件 GaN 935 0

探究電驅動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術

在電動汽車、風力發(fā)電等電驅動系統(tǒng)中，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而，要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢，其封裝技術尤為關鍵。...

2024-08-19 標簽：電感驅動系統(tǒng)功率器件 649 0

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