功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOSFET 雪崩擊穿功率器件 2756 0

推挽式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)及工作原理

推挽式開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開(kāi)關(guān)電源中，MOS管是核心的功率器件之一，其性能直接影響到整個(gè)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...

2024-08-15 標(biāo)簽：電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 2143 0

DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

派恩杰半導(dǎo)體，中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...

2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1767 0

功率器件功率循環(huán)測(cè)試原理詳解

功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），在新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...

2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝功率器件 2304 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

IGBT，全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT），是一種功率開(kāi)關(guān)元件，綜合了電力晶體管（Gi...

2024-08-09 標(biāo)簽：IGBT 焊接功率器件 3207 0

pwm變換器驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些

PWM變換器驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù)，它通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖寬度來(lái)控制功率器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...

2024-08-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路功率器件輸出信號(hào) 1251 0

igbt功率管寄生電容怎么測(cè)量大小

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會(huì)影響IGBT的...

2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT 功率器件功率管 1830 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1074 0

焊機(jī)IGBT炸管后怎樣維修

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件，廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...

2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT 功率器件雙極晶體管 3562 0

大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案

隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域，需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而，由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 IGBT 1589 0

MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法

在電子電路設(shè)計(jì)中，MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率器件，具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而，如果MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1640 0

mos管耐壓是如何測(cè)試

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 2838 0

igbt柵極電阻太小會(huì)怎么樣

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件，其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小，可能會(huì)對(duì)...

2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT 參數(shù)功率器件 1265 0

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)功率器件 968 0

安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡(jiǎn)單容易

GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美（ons...

2024-07-23 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器安森美功率器件 818 0

HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對(duì)功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。BCD 工藝制程技術(shù)的工藝步驟中包含大量工藝是為了改...

2024-07-22 標(biāo)簽：CMOS 功率器件 BCD 4456 0

功率器件的開(kāi)關(guān)波形分析

功率器件，特別是如功率MOSFET和IGBT等，在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開(kāi)關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...

2024-07-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1346 0

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè)，一是功率器件導(dǎo)通時(shí)，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...

2024-07-19 標(biāo)簽：IGBT 功率器件變流器 1155 0

功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

功率器件，也稱為功率電子器件，是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分，它們具備處理高電壓和高電流的能力，是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹，...

2024-07-16 標(biāo)簽：IGBT 晶體管功率器件 6739 0

IGBT功率器件的散熱方式

功率器件的正常運(yùn)行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。

2024-07-15 標(biāo)簽：IGBT 功率器件功率電路 1719 0

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工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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ARM架構(gòu)過(guò)去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開(kāi)發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開(kāi)發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個(gè)開(kāi)源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開(kāi)源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開(kāi)源代碼項(xiàng)目。
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MMU

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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。

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