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標(biāo)簽 > 功率放大器
功率放大器(英文名稱:power amplifier),簡(jiǎn)稱“功放”,是指在給定失真率條件下,能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載(例如揚(yáng)聲器)的放大器。功率放大器在整個(gè)音響系統(tǒng)中起到了“組織、協(xié)調(diào)”的樞紐作用,在某種程度上主宰著整個(gè)系統(tǒng)能否提供良好的音質(zhì)輸出。
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在處理RF系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題時(shí),總會(huì)遇到一些非常困難的工作,對(duì)各部分級(jí)聯(lián)電路的不同阻抗進(jìn)行匹配就是其中之一。一般情況下,需要進(jìn)行匹配的電路包括天線與低噪...
射頻功率放大器在移動(dòng)通信工程和測(cè)試中的五大應(yīng)用
技術(shù)的更新總離不開(kāi)人類應(yīng)用需求的變遷。近年來(lái),隨著電子信息技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對(duì)于射頻領(lǐng)域的研究更加深刻,射頻功率放大器在當(dāng)今時(shí)代的應(yīng)用越發(fā)廣泛了。 射...
2023-06-08 標(biāo)簽:射頻功率放大器移動(dòng)通信 890 0
功率放大器在EMC電磁兼容測(cè)試中的具體應(yīng)用
作為電子及電器產(chǎn)品質(zhì)量衡量指標(biāo)之一的電磁兼容性(EMC)測(cè)試,它的測(cè)試正確與否直接關(guān)系到產(chǎn)品自身使用的可靠性及安全性,并且它還有可能對(duì)于同系統(tǒng)中的其他部...
智能汽車是當(dāng)今科技領(lǐng)域的熱門話題。相比于傳統(tǒng)汽車,智能汽車不僅能提供更加舒適、安全、高效的駕乘體驗(yàn),還能實(shí)現(xiàn)與其他車輛、基礎(chǔ)設(shè)施、云端等的互聯(lián)互通,從而...
2023-06-07 標(biāo)簽:功率放大器無(wú)線通信車聯(lián)網(wǎng) 3993 0
覆銅陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)工藝:是一種用于制備高密度電子封裝材料的工藝方法。
隨著科技不斷進(jìn)步,可穿戴設(shè)備已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的一部分。從智能手表到健康追蹤器,這些設(shè)備旨在提高生活質(zhì)量和健康狀況。然而,這些設(shè)備需要電力來(lái)支持...
2023-06-05 標(biāo)簽:傳感器功率放大器可穿戴設(shè)備 687 0
CPL-WB-00C2是一款帶ISO端口的寬帶定向耦合器,主要用于測(cè)量GSM/WCDMA應(yīng)用中的RF天線輸出功率。
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...
高增益、兩級(jí)InGaP HBT功率放大器GRF5608概述
GRF5608是一款高增益、兩級(jí)InGaP HBT功率放大器,設(shè)計(jì)用于在746至830MHz頻帶上提供出色的P1dB、ACLR和IM3性能。其卓越的固有...
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
在這篇文章中,我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為...
利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢(shì)對(duì)抗RCIED
氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器(PA)的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻...
本文旨在為讀者提供與將服務(wù)和基站從4G升級(jí)到5G就緒和5G技術(shù)相關(guān)的需求變化和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的背景。討論中包括一些關(guān)鍵細(xì)節(jié),這些細(xì)節(jié)解釋了mMIMO天線如何成...
Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器和輸出級(jí)。具體而言,新的高電子遷移率晶體管(HEMT)...
2023-05-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率放大器發(fā)射器 1313 0
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8...
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