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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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MAX2602 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應(yīng)用技術(shù)手冊
MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設(shè)備應(yīng)用優(yōu)化的射頻功率晶體管,采用三節(jié)鎳鎘/鎳氫電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當針對恒定包絡(luò)應(yīng)用(例如F...
MAX2601 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應(yīng)用技術(shù)手冊
MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設(shè)備應(yīng)用優(yōu)化的射頻功率晶體管,采用三節(jié)NiCd/NiMH電池或一節(jié)鋰離子電池供電。當針對恒定包絡(luò)應(yīng)用...
LP3883系列 具有使能功能的 3A 超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3883 是一款高電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可以保持輸出電壓調(diào)節(jié),同時將輸入到輸出電壓的壓降降至最低。該器件采用 CMOS 工藝制造,采用兩種輸入電壓工...
LP3881系列 具有使能功能的 800mA、低 VIN (1.291V)、超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3881 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作:Vb...
LP3882系列 1.5A 超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3882 是一款高電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作:Vb...
LP3891系列 具有使能功能的 800mA 超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3891 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作:Vb...
LP3892系列 具有使能功能的 1.5A 超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3892 是一款高電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作:Vb...
LP3893系列 具有使能功能的 3A 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP3893 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,可保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作:Vb...
LP38843 具有使能功能的 3A、低 VIN (1.01V)、超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP38843 是一種大電流、快速響應(yīng)的穩(wěn)壓器,可以保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作...
LP38841 具有使能功能的 800mA、低 VIN (0.875V)、超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP38841 是一種大電流、快速響應(yīng)的穩(wěn)壓器,可以保持輸出電壓 以最小的輸入至輸出電壓降進行調(diào)節(jié)。該設(shè)備采用 CMOS 工藝制造 采用兩種輸入電壓工作...
類別:IC datasheet pdf 2024-08-06 標簽:功率晶體管 153 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷達功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標簽:雷達LDMOS功率晶體管 186 0
類別:IC datasheet pdf 2023-06-19 標簽:晶體管功率晶體管 239 0
650V CoollMOS TM CFDA功率晶體管IPW65R080CFDA規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-10-12 標簽:MOSFET功率晶體管 491 0
英飛凌CoolGaN功率晶體管賦能SounDigital放大器,更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】 由于市場對于音頻設(shè)備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高,領(lǐng)先的音頻設(shè)備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時,也在努...
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計提出了...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項創(chuàng)新技術(shù)在消費電...
2024-08-12 標簽:英飛凌MOS場效應(yīng)晶體管 435 0
蔚來汽車與芯聯(lián)集成SiC模塊合作項目C樣下線,即將進入量產(chǎn)階段
“蔚來&芯聯(lián)集成合作伙伴大會暨蔚來自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行,標志著該項目即將進入量產(chǎn)階段。
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時候是不是都要負電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時候是不是都要負電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們在關(guān)斷過程中確實需要負電壓。 首先,讓我們了...
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見的電力電子整流電路。它們在一些工業(yè)應(yīng)用中具有重要作...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多...
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