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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實現(xiàn)...
2018-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻機半導(dǎo)體芯片 17.0萬 0
半導(dǎo)體器件評估封裝技術(shù)特性時需要考慮的關(guān)鍵因素
設(shè)計師如何在保持封裝魯棒性和可靠性的同時,提高功率密度?首先,封裝可以采用更大的引線框架面積,從而可以容納諸如IGBT的更大的功率芯片。這也實現(xiàn)了較低的...
2018-03-16 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 4.6k 0
變?nèi)荻O管有沒有正負極_如何判斷變?nèi)荻O管正負極
變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量...
2018-01-25 標(biāo)簽:二極管變?nèi)荻O管半導(dǎo)體器件 1.5萬 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
2017-10-09 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
MOSFET知識點全集,初級工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.1萬 0
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2.1萬 0
電子元器件的固有可靠性取決于產(chǎn)品的可靠性設(shè)計,因此,應(yīng)該在電子元器件裝上整機、設(shè)備之前,就要設(shè)法把具有早期失效的元器件盡可能地加以排除,為此就要對元器件...
2016-12-26 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體器件 2.1k 0
LED 是特性敏感的 半導(dǎo)體器件 ,又具有負溫度特性,因而在應(yīng)用過程中需要對其進行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護,從而產(chǎn)生了驅(qū)動的概念。LED器件對驅(qū)動電源的要求近...
2012-05-17 標(biāo)簽:LED驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2.9k 0
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