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      標簽　>　半導(dǎo)體器件

      半導(dǎo)體器件

      半導(dǎo)體器件

      +關(guān)注12人關(guān)注

      半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。

      文章：732個 瀏覽：33601次 帖子：26個

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      突破衍射極限，還看“近場光學(xué)”

      極小的物體被放大幾千倍，各種物質(zhì)的豐富細節(jié)徐徐展開，人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學(xué)顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過，無限提高放大倍數(shù)是不可...

      2023-05-22 標簽：光學(xué)顯微鏡半導(dǎo)體器件 1.2k 0

      如何突破功率半導(dǎo)體器件性能天花板?

      碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；8...

      2023-05-18 標簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 501 0

      誰才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？

      目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發(fā)...

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      什么是摩爾定律？摩爾定律的本質(zhì)是什么？

      該圖的縱軸是每個集成功能（半導(dǎo)體芯片）的組件（晶體管）數(shù)量。此外，由于它被寫成Log2，這表明晶體管的數(shù)量將呈指數(shù)增長。

      2023-04-10 標簽：晶體管半導(dǎo)體器件 6.6k 0

      湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進展

      氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其...

      2023-03-24 標簽：氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1.2k 0

      淺談半導(dǎo)體裝備市場產(chǎn)能驅(qū)動和技術(shù)驅(qū)動

      隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進一步發(fā)展，未來數(shù)年中裝備市場的宏觀增長速度會大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場。

      2023-03-22 標簽：臺積電半導(dǎo)體器件FinFET 892 0

      GaN要快速擴散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破

      氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

      2023-03-20 標簽：IGBT氮化鎵GaN 1.4k 0

      中芯熱成推出光電成像芯片制備、測試及封裝服務(wù)

      中芯熱成是國內(nèi)首家專注于紅外量子點材料成像芯片領(lǐng)域的國家級高新技術(shù)企業(yè)，針對量子點、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測試及...

      2023-03-09 標簽：半導(dǎo)體器件新材料成像芯片 2.9k 0

      IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transi...

      2023-02-09 標簽：IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 1.4k 0

      第三代半導(dǎo)體能否引發(fā)電子芯片業(yè)的一次革新？

      在這種情況下，第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度...

      2023-02-03 標簽：半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件電子芯片 1.9k 0

      關(guān)于功率器件的一些小常識

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      功率器件，也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“...

      2023-02-02 標簽：高電壓功率器件半導(dǎo)體器件 3.2k 0

      垂直GaN獲得重大突破，旨在取代SiC

      CEO進一步指出，產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。

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      盤點！卡塔爾世界杯的“芯”科技

      SAOT系統(tǒng)主要由特制攝像機、球內(nèi)傳感器和人工智能系統(tǒng)三部分組成。世界杯期間，每座球場頂部將設(shè)置12臺特制攝像機，對場上的足球和每名球員進行追蹤，以每秒...

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      mos管是不是三極管?

      場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當給pn結(jié)加上正向電壓時，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場中形成空間電荷層，這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...

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      盤點Power Tester功率循環(huán)測試設(shè)備的九大優(yōu)勢

      Power Tester帶兩套軟件，一套是PowerTester Post processing tool后處理軟件，一套是T3Ster Master軟...

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      由于最新PCIe標準必須支持以前各代PCIe標準，所以對驗證團隊來說，每一代新的PCIe標準的測試矩陣都會呈指數(shù)級增長。再加上標準發(fā)展導(dǎo)致的測試復(fù)雜度增...

      2022-11-29 標簽：總線PCIe半導(dǎo)體器件 1.4k 0

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      依托IDM模式，士蘭微電子實現(xiàn)了特色工藝技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)的緊密互動，以及半導(dǎo)體器件、集成電路和模塊產(chǎn)品的協(xié)同發(fā)展。公司的技術(shù)與產(chǎn)品涵蓋了消費類產(chǎn)品的眾多領(lǐng)...

      2022-11-17 標簽：士蘭微電子半導(dǎo)體器件 1.2k 0

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      隨著新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件組成部分，市場對其應(yīng)用條件和性能提出更高的要求，對...

      2022-10-21 標簽：驅(qū)動電源半導(dǎo)體器件金升陽 1.8k 0

      AFE拓撲的應(yīng)用優(yōu)勢

      　針對任何應(yīng)用領(lǐng)域的工程師都加入了他們對效率、功率密度和成本的擔憂。而且，即使他們還沒有用它進行設(shè)計，他們也意識到解決方案可能在于碳化硅（SiC）技術(shù)。...

      2022-10-18 標簽：AFESiC半導(dǎo)體器件 3.7k 0

      照明設(shè)備物聯(lián)化趨勢如何改變照明產(chǎn)品的發(fā)展方向

      LED是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)半導(dǎo)體器件，它摒棄了傳統(tǒng)復(fù)雜的光源構(gòu)造，而僅將一塊小體積晶片封裝在環(huán)氧樹脂之中，天然具備小巧、輕薄的優(yōu)勢，頗有些...

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        +關(guān)注
        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
        Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風標電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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        在眾多的51系列單片機中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機內(nèi)部就自帶高達60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
      • STM32單片機
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        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        TMS320F28335
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        靜電防護
        +關(guān)注
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