半導(dǎo)體材料知識(shí)

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  半導(dǎo)體材料電磁特性測(cè)試方法

  從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。

  2025-04-24 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 SiC 參數(shù)分析儀 152 0

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  芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

  半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。

  2025-04-15 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 芯片制造 半導(dǎo)體材料 209 0

• 半導(dǎo)體材料發(fā)展史：從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

  半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見(jiàn)證。從第一代硅基材料到第

  2025-04-10 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 寬禁帶 332 0

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  半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)

  光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的

  2025-03-18 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 電子束 光刻膠 575 0

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  大尺寸單晶金剛石襯底制備技術(shù)突破與挑戰(zhàn)

  【DT半導(dǎo)體】獲悉，金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點(diǎn)群為 o

  2025-03-08 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 電場(chǎng) 金剛石 421 0

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  去除碳化硅外延片揭膜后臟污的清洗方法

  引言 碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨

  2025-02-24 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 碳化硅 外延片 259 0

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  化合積電推出硼摻雜單晶金剛石,推動(dòng)金剛石器件前沿應(yīng)用與開(kāi)發(fā)

  【DT半導(dǎo)體】獲悉，化合積電為了大力推動(dòng)金剛石器件的應(yīng)用和開(kāi)發(fā)進(jìn)程，推出硼摻雜單晶金剛石，響應(yīng)廣大客戶在金剛石器件前沿研

  2025-02-19 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 金剛石 504 0

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  KAUST研發(fā)出千伏級(jí)藍(lán)寶石襯底AlN肖特基二極管

  【研究梗概】： 超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁具有超高擊穿電場(chǎng)，在新型電子器件開(kāi)發(fā)中展現(xiàn)出巨大潛力，受到全球研究者的競(jìng)相關(guān)注。近日

  2025-02-18 標(biāo)簽： 二極管 肖特基二極管 半導(dǎo)體材料 289 0

• 集成電路的引腳識(shí)別及故障檢測(cè)

  一、集成電路的引腳識(shí)別 集成電路是在同一塊半導(dǎo)體材料上，利用各種不同的加工方法同時(shí)制作出許多極其微小的電阻、電容及晶體管

  2025-02-11 標(biāo)簽： 集成電路 電路元器件 半導(dǎo)體材料 566 0

• 中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

  近日，中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)

  2025-02-11 標(biāo)簽： 功率器件 半導(dǎo)體材料 碳化硅 481 0

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