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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料技術(shù)

vcsel芯片是什么反向電壓

VCSel芯片是一種垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）芯片，廣泛應(yīng)用于光通信、光電子設(shè)備...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料反向電壓 VCSEL芯片 1.3萬 0

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 3408 0

芯片？半導(dǎo)體？來看看這個給小白的科普文

而芯片，是一個更宏觀、更產(chǎn)品化的概念。經(jīng)過設(shè)計、制造、封裝和測試后，形成的可直接使用的產(chǎn)品形態(tài)，被認(rèn)為是芯片。在強(qiáng)調(diào)用途的時候，人們會更多采用“芯片”的...

2023-12-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1105 0

半導(dǎo)體材料簡介半導(dǎo)體材料的電特性詳解

自然界的萬物都有各自獨(dú)特的特性，我們?nèi)祟惸茏龅囊仓皇翘剿鬟@些物體的特性，并利用它為自己服務(wù)。在我們電子領(lǐng)域，根據(jù)物體的導(dǎo)電特性，通常可以分為：導(dǎo)體，絕緣...

2023-12-06 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體晶體管 3331 0

簡單認(rèn)識半導(dǎo)體材料

當(dāng)我們想要描述一個原子的結(jié)構(gòu)時，每次繪制下圖所示的這樣的圖表時都不是非常的方便。更常見的做法是寫出分子式的方式來進(jìn)行表達(dá)。對于水分子，它的分子式是我們熟...

2023-12-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 784 0

淺談半導(dǎo)體材料的特性

硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中，硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊，使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻，可以使電子移動的速度快了70...

2023-12-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 MOS 919 0

全面詳解半導(dǎo)體制造工藝與進(jìn)化

雙極性晶體管，英語名稱為BipolarTransistor，是雙極性結(jié)型晶體管的簡稱，由于其具有三個終端，因此通常將其稱為三極管。三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成...

2023-12-02 標(biāo)簽：集成電路三極管晶體管 1.0萬 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇

電動化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢，對高速充電的需求持續(xù)提升，而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高，因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 578 0

淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 半導(dǎo)體材料 2004 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因為，為了應(yīng)對全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1328 0

量子點(diǎn)發(fā)光原理

量子點(diǎn)的發(fā)光原理主要與電子和空穴的相互作用以及它們與周圍環(huán)境的相互作用有關(guān)。當(dāng)量子點(diǎn)受到外來能量(例如光子)的激發(fā)時，電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶，然后在導(dǎo)帶上...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光譜量子點(diǎn) 3408 0

溫度傳感器原理及應(yīng)用

溫度傳感器是一種用于測量溫度的裝置，其原理是將溫度轉(zhuǎn)換為可被測量和記錄的電信號。溫度傳感器有很多種類型，包括熱電偶、熱敏電阻、晶體管溫度傳感器等。下面我...

2023-11-24 標(biāo)簽：溫度傳感器熱敏電阻半導(dǎo)體材料 5338 0

n型和p型半導(dǎo)體材料特性詳解

以同樣的方式理解p型材料(如下圖所示)。不同之處在于，只有元素周期表第三列的硼被用來使p型的硅摻雜。當(dāng)硼與硅混合時，硼也從硅中吸取電子。然而，這里也只能...

2023-11-17 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 3823 0

光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高...

2023-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光刻膠 2199 0

電子半導(dǎo)體行業(yè)電能質(zhì)量監(jiān)測與治理系統(tǒng)解決方案

目前大多數(shù)單晶爐是采用中頻感應(yīng)電源加熱的工作方式，中頻電源主電路包括整流電路、濾波電路、單相橋式逆變電路和并聯(lián)諧振電路。其中整流電路采用三相全控橋式整流...

2023-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料配電系統(tǒng) 555 0

摻雜半導(dǎo)體的電阻率講解

本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。然而，通過一個叫做摻雜的過程，將特定的元素被引入本征半導(dǎo)體材...

2023-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率 4328 0

半導(dǎo)體材料特性講解

許多材料的一個重要特性是導(dǎo)電能力(即:支持電流流動的能力)。電流就是流動的電子。導(dǎo)電發(fā)生在元件和材料中質(zhì)子對外環(huán)電子的吸引力相對較弱的情況下，這時自由電...

2023-11-10 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1309 0

二極管是由什么材料組成的

二極管通常由半導(dǎo)體材料制成，最常見的是硅和鍺。

2023-11-05 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體硅二極管 3449 0

半導(dǎo)體材料特性介紹

半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來的半導(dǎo)體材料的特...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電荷 1770 0

SiC與功率器件半導(dǎo)體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標(biāo)簽：晶閘管 MOS 功率器件 749 0

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3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點(diǎn)推向下一個階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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瑞芯微電子有限公司（Fuzhou Rockchips Electronics CO., Ltd）主要致力于數(shù)字音視頻和廣播領(lǐng)域，為消費(fèi)品生產(chǎn)廠家提供從芯片到系統(tǒng)SoC軟件的整體解決方案。主要產(chǎn)品線包括：數(shù)字音視頻處理芯片、語言復(fù)讀機(jī)主控芯片以及數(shù)字電調(diào)諧收音機(jī)控制芯片。
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RISC-V是一個基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是，低功耗，體積小，直接可視柔性。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史。總部設(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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