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標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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電磁輻射可能或輻射或傳導(dǎo)，后者為噪聲電壓或電流噪聲。 一般來講，半導(dǎo)體器件是 EME 的來源，如微控制器。眾所周知，越接近噪聲源，電磁輻射的對策越廉價。...
如圖1 所示，半導(dǎo)體激光器發(fā)出的子午光線先經(jīng)過母線平行于激光束慢軸方向的柱透鏡后變成準平行光束( 平行光束不可能實現(xiàn)) 。由于第2 個柱透鏡M2對于子午...
每一個MOS管都提供有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源...
二極管選型指南-電子元器件選型指導(dǎo)系列(二)，作為半導(dǎo)體元老級產(chǎn)品二極管，本文我們從二極管的分類、命名方法，到常用二極管的特點及選用給大家做了詳細的介紹;
從紙面上看，這項技術(shù)承諾在色彩準確度、低光噪聲和圖像清晰度方面優(yōu)于 CMOS 傳感器。本文將解釋為什么 Foveon 技術(shù)盡管是一個聰明的想法，但從未真...
氮化鎵 （GaN） 的價值負載波正在快速傳播。其最新的轉(zhuǎn)換是電動汽車 （EV） 逆變器。隨著過去幾年道路上電動汽車數(shù)量的快速增加，行業(yè)分析師預(yù)計到 20...
雙側(cè)間接冷卻功率模塊比單側(cè)直接冷卻模塊具有優(yōu)勢
近年來，電動汽車（EV）銷量的增長催生了對功率半導(dǎo)體模塊的巨大需求。功率控制單元 （PCU） 是電動汽車中的主要子系統(tǒng)之一。它由功率模塊（目前為高功率 ...
如果無法應(yīng)用被動解決方案，最好使用主動解決方案，這些解決方案通常由用于測量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器（恒溫器或恒濕器）組成。它控制改變熱量的設(shè)備（風(fēng)扇、加熱器...
帶電粒子和伽馬射線會產(chǎn)生電離，從而改變設(shè)備的參數(shù)。這些變化是根據(jù)總電離劑量參數(shù) (TID) 估算的。吸收的電離劑量通常以 Rads 為單位測量，即每克材...
2022-08-08 標簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體晶體管 1833 0
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在。基于半導(dǎo)體的晶體管的發(fā)明，取代了用于電氣開關(guān)的真空管，使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
英飛凌設(shè)計的平臺，旨在通過 TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...
變速驅(qū)動器 (VSD) 可以非常有效地改變電機扭矩和速度，廣泛用于重載應(yīng)用，如電機驅(qū)動、伺服和加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC)。在采用 VSD 之前，交流...
幾十年來，基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
在現(xiàn)代，隨著EV（電動汽車）和 HEV（混合動力電動汽車）領(lǐng)域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加，尤其是在電動汽車充電點的并網(wǎng)系統(tǒng)中...
2022-08-05 標簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體整流器 1486 0
在高頻電源轉(zhuǎn)換器中演示基于GaN-HEMT的動態(tài)Rds電阻
GaN（氮化鎵）器件因其高開關(guān)速度、更高的功率密度和效率等能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器中變得流行，但 GaN 器件的一個缺點是電流崩潰由于當(dāng)器件關(guān)閉和熱電子效...
2022-08-05 標簽：電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 2503 0
碳化硅 （SiC）是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料：用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫，這些組件現(xiàn)在在...
如何使設(shè)計人員在200kW EV逆變器增加EV范圍
讓我們從討論動力傳動系統(tǒng)和動力傳動系統(tǒng)損失開始。顯然，電動汽車要擴大其續(xù)航里程，需要同時提高電機效率和逆變器效率。直到大約 50 英里/小時，動力傳動系...
電源設(shè)計說明中使用GaN器件進行LTspice仿真
多年來，技術(shù)進步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比，電...
功率 MOSFET 中的SiC（碳化硅）與其對應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢，例如更高的導(dǎo)電性、更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。
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