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標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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我們對它也不陌生,也是經(jīng)常和它打交道了,一些關(guān)于CMOS的半導(dǎo)體特性在這里就不必啰嗦了。許多人都知道的是,正常情況下CMOS的功耗和抗干擾能力遠優(yōu)于TT...
PowerMOSFET在變頻器電路中如何起續(xù)流保護作用
PowerMOSFET有三個極,即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)??刂菩盘枴癎S加于柵極和源極之間,改動UGS的大小,便可改動漏極電流ID的大小。由...
MEMS是隨著半導(dǎo)體集成電路微細加工技術(shù)和超精密機械加工技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展起來的,目前MEMS加工技術(shù)還被廣泛應(yīng)用于微流控芯片與合成生物學(xué)等領(lǐng)域,從而進行...
半導(dǎo)體模塊上下面是陶瓷面,內(nèi)置幾十對半導(dǎo)體晶片串并聯(lián),而可定不同的直流電壓(本例為12Ⅴ3A),它通入直流電正向電壓是上面散熱下面制冷,反之電壓是上面散...
2020-07-05 標簽:半導(dǎo)體 2465 0
宋清亮認為,由于在很長一段時間內(nèi)5G的建設(shè)還需要兼容(保留)現(xiàn)有3G和4G通訊,因此多數(shù)采用現(xiàn)有基地臺和局端(CO)進行改造和升級的方式,這意味著通訊電...
ADI:高性能模擬技術(shù)和半導(dǎo)體如何賦能新基建?
新基建解決了充電基礎(chǔ)設(shè)施的短缺, 同時在環(huán)保需求與政策利好的刺激下,新能源車在2020年迎來普及潮。
一種在半導(dǎo)體基板上形成微細結(jié)構(gòu)的激光加工裝置和加工方法
半導(dǎo)體基板可以是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的晶圓,例如硅晶圓、絕緣體上的硅(SOI:Silicon On Insulator)晶圓、鍺硅晶圓、鍺晶圓、氮化鎵晶...
2020-06-24 標簽:半導(dǎo)體激光光學(xué)系統(tǒng) 3312 0
意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時的反向恢復(fù)...
美新半導(dǎo)體專家?guī)炊卮艂鞲屑夹g(shù)
根據(jù)麥姆斯咨詢提供的數(shù)據(jù)顯示,2019年,全球磁傳感器市場規(guī)模約為22.8億美元,預(yù)計2020年~2025年期間的復(fù)合年增長率(CAGR)可達6.5%,...
我國碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展速度是怎么樣的
碳基集成電路技術(shù)被認為是最有可能取代硅基集成電路的未來信息技術(shù)之一?!?微米級碳納米管集成電路平臺工藝開發(fā)與應(yīng)用研究”的驗收,標志著我國已經(jīng)正式進入碳基...
碳化硅(SiC)是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料, 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件,例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵(GaN)具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力,...
LED顯示屏的視角決定于LED燈珠的視角。目前戶外顯示屏大多選用水平視角100°;、垂直視角50°;的橢圓LED,戶內(nèi)顯示屏則選用水平垂直均為120°;...
基于HCSl2單片機和MC9S12DGl28B系列MCU實現(xiàn)智能車系統(tǒng)的設(shè)計
“飛思卡爾杯”智能車大賽起源于韓國,是韓國漢陽大學(xué)汽車控制實驗室在飛思卡爾半導(dǎo)體公司資助下舉辦的以HCSl2單片機為核心的大學(xué)生課外科技競賽。組委會提供...
采用擴散電阻技術(shù)的KTY系列硅傳感器的特點及應(yīng)用分析
對于許多應(yīng)用而言,存在著比傳統(tǒng)熱敏電阻更先進的技術(shù),而傳統(tǒng)技術(shù)往往只是因為先前設(shè)計中一直采用而被頻繁使用。
TCD1501C型CCD圖像傳感器的原理、性能特點及驅(qū)動電路的設(shè)計
本文以TCD1501C型CCD圖像傳感器為例。介紹了其性能參數(shù)及外圍驅(qū)動電路的設(shè)計。驅(qū)動時序參數(shù)可以通過VHDL程序靈活設(shè)置。該電路已成功開發(fā)并應(yīng)用于某...
東微半導(dǎo)體超級硅MOSFET系列產(chǎn)品,可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國內(nèi)最早量產(chǎn)并進入工業(yè)級應(yīng)用的高壓超級結(jié)產(chǎn)品系列,在國產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位,廣泛應(yīng)用于充電樁模塊,通訊電源等大功率...
在VxWorks系統(tǒng)下改善RTL8139驅(qū)動實現(xiàn)提高其穩(wěn)定性和效率
RTL8139是臺灣Realtek半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一種快速以太網(wǎng)控制器,提供符合PCI2.2標準的接口,兼容IEEE802.3u 100BASE-T規(guī)范...
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