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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      +關(guān)注331人關(guān)注

      半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

      文章：25390個(gè) 瀏覽：235177次 帖子：1064個(gè)

      半導(dǎo)體技術(shù)

      基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測(cè)器

      華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測(cè)器。

      2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3970 0

      淺析MOS管工作原理及特性

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      MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。

      2018-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS 36.2萬 0

      鈦酸鋰復(fù)合二氧化鈦染料敏化太陽能電池的性能研究

      TiO2薄膜的禁帶寬度為3.23eV。Li4Ti5O12薄膜的禁帶寬度為3.54eV，復(fù)合薄膜的禁帶寬度為3.36eV。相比較而言，復(fù)合薄膜的總體光電轉(zhuǎn)...

      2018-12-04 標(biāo)簽：鋰離子電池太陽能半導(dǎo)體 5272 0

      超分辨光刻裝備落地，可實(shí)現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)

      國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對(duì)進(jìn)口依賴非常高，特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片，國(guó)內(nèi)的技術(shù)落后，還不能完全國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的，很多人都知...

      2018-12-04 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體閃存 5622 0

      更便捷生產(chǎn)工藝霍爾開關(guān)芯片-M7101

      當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢(shì)U，其表達(dá)式為U=K...

      2018-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾開關(guān) 5099 0

      你需要了解的壓力變送器選型要求

      壓力變送器感受壓力的電器元件一般為電阻應(yīng)變片，電阻應(yīng)變片是一種將被測(cè)件上的壓力轉(zhuǎn)換成為一種電信號(hào)的敏感器件。電阻應(yīng)變片應(yīng)用最多的是金屬電阻應(yīng)變片和半導(dǎo)體...

      2018-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體壓力變送器電阻應(yīng)變片 3633 0

      第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

      第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導(dǎo)體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、...

      2018-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體整流器無線電 2.0萬 0

      5G降臨無線測(cè)試新時(shí)代

      5G帶來廣闊前景的同時(shí)，也使得測(cè)試日益復(fù)雜化。必須開發(fā)新的技術(shù)來測(cè)試5G設(shè)備。需要成本更低的空口測(cè)試技術(shù)。

      2018-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體無線通信5G 3763 0

      集成電路走下坡路了嗎

      過去十年，是集成電路產(chǎn)業(yè)最好的時(shí)光。在智能手機(jī)的量大、替換周期短的推動(dòng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有了爆發(fā)性的增長(zhǎng)，也冒出來了很多新公司，尤其是中國(guó)大陸，在這波潮流的...

      2018-11-18 標(biāo)簽：集成電路智能手機(jī)半導(dǎo)體 4517 0

      科普集成電路是啥？

      可能很多人看過很多資料，可還是不是太了解集成電路，說到集成，那么可能大家會(huì)問，到底是什么集成的？什么又是電路呢？小編和大家一起科普一下集成電路是啥？說的...

      2018-11-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 1.2萬 0

      進(jìn)擊的第三代半導(dǎo)體——碳化硅器件

      目前，國(guó)內(nèi)外碳化硅功率電子分立器件商業(yè)化產(chǎn)品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管（SBD）、PIN二極管和結(jié)勢(shì)壘控制...

      2018-11-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體分立器件 7100 0

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      從ChipRebel公布的麒麟980剖面圖，可見左上角部分是配制全新Mali G76MP10 GPU，右上角則是主要CPU配置區(qū)，此區(qū)可見海思首次導(dǎo)入的...

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      深入關(guān)鍵行業(yè)領(lǐng)域，具體對(duì)比中美科技實(shí)力

      半導(dǎo)體可以分為分立器件、光電子、傳感器、集成電路，其中集成電路占比最高，占到2016年全球半導(dǎo)體銷售金額的81.6%。中國(guó)目前已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體與...

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      如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法

      由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性...

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      半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備有哪些

      本視頻主要介紹了半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，分別有橢偏儀、四探針、熱波系統(tǒng)、相干探測(cè)顯微鏡、光學(xué)顯微鏡以及掃描電子顯微鏡。

      2018-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體測(cè)試 2.7萬 0

      如何針對(duì)特定設(shè)計(jì)選擇正確的MOSFET

      隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它...

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      芯片巨頭格羅方德放棄7納米技術(shù)研究中芯會(huì)進(jìn)入7納米的研究中嗎

      著名的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司Global Foundries宣布，將放棄未來7納米技術(shù)的研發(fā)，這意味著未來參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠...

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      麻省理工研發(fā)出半導(dǎo)體薄膜制作新方法

      麻省理工的工程師們開發(fā)出一種新的技術(shù)，這種技術(shù)除了硅以外還可以使用其他一系列特殊材料制成超薄半導(dǎo)體薄膜。為了展示他們的技術(shù)，研究人員使用砷化鎵、氮化鎵和...

      2018-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 6901 0

      探討二維材料在半導(dǎo)體和能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

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      2018-10-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體石墨烯 6776 0

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        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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