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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又稱作可控硅整流器(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地...
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。二極管有兩個(gè)電極,正極,又叫陽(yáng)極;負(fù)極,又叫陰極,給二極管兩級(jí)間加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通...
如何判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞與極性,在使用應(yīng)注意哪些事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體...
2019-07-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 9217 0
電子管和晶體管是電子器件領(lǐng)域中的兩種重要元件,它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)、信號(hào)處理和功率放大等方面扮演著關(guān)鍵角色。盡管它們的功能相似,但在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性,下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 9195 0
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
數(shù)字電源市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
Microchip dsPIC33EP GS系列產(chǎn)品具備卓越的性能,可在開關(guān)頻率更高的情況下實(shí)施更為復(fù)雜的非線性預(yù)測(cè)及自適應(yīng)控制算法。這些高級(jí)算法可令電...
分享第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖的分析和應(yīng)用
中國(guó)開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚,與國(guó)外相比水平較低,阻礙國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進(jìn)展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。國(guó)內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所...
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,簡(jiǎn)稱臺(tái)積電、TSMC,是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司,成立于1987年,是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)...
ALD技術(shù)工藝原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
面對(duì)真空鍍膜多元的應(yīng)用市場(chǎng),鍍膜技術(shù)的發(fā)展也從傳統(tǒng)的蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)技術(shù),相繼發(fā)展出PECVD、ALD原子層沉積技術(shù)、磁控濺射技術(shù)等等,技術(shù)地位日益凸...
其次,高性能模擬電路公司都非常注重專利的保護(hù),僅TI一家公司就擁有45000+專利。實(shí)現(xiàn)高性能模擬電路的本身就是在工藝極限上尋求突破,而最直接和高效的方...
半導(dǎo)體器件產(chǎn)生多少熱量以及如何順利散發(fā)熱量
其中P是從半導(dǎo)體結(jié)流向“X”點(diǎn)的耗散功率(熱量)。理想情況下,在這個(gè)測(cè)量過程中,接近100%的功耗應(yīng)該從結(jié)流向“X”點(diǎn)。該數(shù)值只取決于熱流路徑的物理屬性...
2018-03-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 9053 0
目前市場(chǎng)上,一臺(tái)新的干法刻蝕設(shè)備使用的射頻源售價(jià)大概在1萬(wàn)美金左右,而維修一臺(tái)射頻源的費(fèi)用一般也要1萬(wàn)元人民幣以上,可見其費(fèi)用相當(dāng)昂貴。本著節(jié)約成木的原...
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