LF247 36V、低輸入電流、高擺率、JFET四運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)

LF247是高速 J-FET 輸入四通道運(yùn)算放大器，在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 J-FET 和雙極晶體管。

2025-03-31 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器四通道雙極晶體管 271 0

RIGOL IGBT雙脈沖測(cè)試應(yīng)用案例介紹

功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷?、電流、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性，實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類較多，根據(jù)可控性...

2024-11-24 標(biāo)簽：電流電壓雙極晶體管 825 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。

2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET電容雙極晶體管 3899 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率雙極晶體管

傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器，對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí)，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲...

2024-01-15 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體晶體管 1762 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1367 0

雙極晶體管工藝流程介紹

襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管雙極晶體管 6131 0

【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？

【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？

2023-12-13 標(biāo)簽：BJT雙極晶體管集電極電流 1667 0

2n3055參數(shù)/引腳圖，2n3055應(yīng)用電路

2N3055 是一款功率雙極晶體管，設(shè)計(jì)用于處理 100 V 和 15 A 范圍內(nèi)的高功率負(fù)載。

2023-07-24 標(biāo)簽：應(yīng)用電路雙極晶體管2N3055 1.8萬(wàn) 0

工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中IGBT的作用

針對(duì)所有的應(yīng)用，人們?cè)絹?lái)越注意電動(dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率；因此，對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外，使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇，需要降低整體...

2023-07-01 標(biāo)簽：IGBT雙極晶體管電動(dòng)馬達(dá) 891 0

BJT的傳輸特性，如何應(yīng)用肖克利方程？

在BJT或雙極晶體管中，傳遞特性可以理解為輸出電流與輸入控制幅度的關(guān)系圖，因此在圖中表示的曲線中表現(xiàn)出變量從輸入到輸出的直接“轉(zhuǎn)移”。

2023-06-28 標(biāo)簽：BJT雙極晶體管 2819 0

HMC506LP4ETR集成緩沖放大器

HMC506LP4和HMC506LP4E是集成諧振器、負(fù)阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器的GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）MMIC VCO。

2023-06-27 標(biāo)簽：振蕩器諧振器雙極晶體管 899 0