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      標(biāo)簽　>　場(chǎng)效應(yīng)晶體

      場(chǎng)效應(yīng)晶體

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      　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體簡(jiǎn)介

      　　場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS（柵源電壓）來(lái)控制ID（漏極電流）；它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體知識(shí)

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體技術(shù)

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