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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

OPA1S2385 具有集成低電平有效開關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊(cè)

OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬，場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個(gè)快速 SPST COMS 開...

2025-04-30 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 171 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管入門指南

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2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 FET 881 0

技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級(jí) 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器，具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)

TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車環(huán)境中為非車載...

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LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...

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用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹

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2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 388 0

用戶指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹

LMG3100 評(píng)估模塊（EVM）是一款緊湊、易于使用的功率級(jí)，帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..

2025-02-21 標(biāo)簽：電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 412 0

MOS管的OC和OD門是怎么回事

在數(shù)字電路和功率電子中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見的開關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大...

2025-02-14 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 OD 561 0

mosfet里vgs和vds的關(guān)系

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2024-09-29 標(biāo)簽：MOSFET 源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9229 0

vdmos器件厚度對(duì)電阻的影響

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2024-09-29 標(biāo)簽：電阻 VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 676 0

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2024-09-29 標(biāo)簽：電路電流 VDMOS器件 989 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型：JFET（結(jié)型）和MOS-FET（金屬-氧...

2024-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 958 0

如何選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）時(shí)，需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求，同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...

2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 979 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-...

2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 941 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的定義和引腳配置

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件。它的核心特點(diǎn)在...

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mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)...

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mos管gs之間電阻阻值怎么選

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

2024-09-18 標(biāo)簽：電阻 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3326 0

mos管漏極電壓增大,為什么溝道變窄

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柵極驅(qū)動(dòng)芯片怎么提高電流

柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種： 1. 增加功率管增加MOSFET數(shù)量：通過(guò)增加MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率管的數(shù)量...

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鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理

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2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2581 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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