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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場效應(yīng)晶體管(ISFET)
據(jù)麥姆斯咨詢報道,德國弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所(Fraunhofer IPMS)開發(fā)出一種用于芯片式pH值測量的傳感層,并成功將其集成到離子敏感場效應(yīng)...
2024-03-11 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 1771 0
原文來自:泉城嵌入式 運算放大器(IntegratedOperational Amplifier)簡稱集成運放,是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻...
2024-03-27 標(biāo)簽:運算放大器場效應(yīng)晶體管 1660 0
三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!
近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1349 0
傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展面臨著尺寸持續(xù)縮小的技術(shù)瓶頸,新興的石墨烯等二維材料基于其納米級厚度和極高的載流子遷移率一直備受關(guān)注。
2024-03-01 標(biāo)簽:人機交互物聯(lián)網(wǎng)場效應(yīng)晶體管 1086 0
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動公司不斷發(fā)展。
IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 3009 1
Qorvo發(fā)布碳化硅場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,這款產(chǎn)品專為電動汽車(EV)而設(shè)計,符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管碳化硅Qorvo 855 0
H20R1203到底能不能用IRF 250代換? H20R1203和IRF250是兩種不同的電力場效應(yīng)晶體管。雖然它們可能在一些電路應(yīng)用中具有相似的性能...
2024-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管額定電流 5429 0
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓...
2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場效應(yīng)晶體管 1400 0
日本團隊開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET
MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管(FET),具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點,特別適合作為電機驅(qū)動的開關(guān)元件,高速開關(guān)大電流等已經(jīng)完成。
2023-12-29 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 633 0
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...
2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場效應(yīng)晶體管功率器件 554 0
MOS管在電路中如何控制電流大?。?MOS管是一種非常常見的電子器件,常用于各種電路中來控制電流的大小。 一、MOS管的基本原理和結(jié)構(gòu) MOS管全稱金屬...
2023-12-21 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管擊穿電壓 4998 0
臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn)
12 月 14 日消息,臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)的小組研討會上透露,其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時,...
2023-12-18 標(biāo)簽:臺積電場效應(yīng)晶體管 782 0
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場效應(yīng)晶體管 1999 0
MOS的三個極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
2023-11-30 標(biāo)簽:晶體管MOS場效應(yīng)晶體管 1861 0
GaN器件是平面器件,與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強,因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成,進一步降低用戶的使用門檻,并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢,很有...
2023-11-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1401 0
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分?
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分? 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì),...
2023-11-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 4985 0
一鍵解鎖!晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程
一鍵解鎖!晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程
2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管FinFET 1037 0
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