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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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IDMA控制器的作用不僅在增強(qiáng)系統(tǒng)性能并減少處理器的中斷生成,而且還針對(duì)32位MCU應(yīng)用程序?qū)iT優(yōu)化設(shè)計(jì)。DMA控制器為存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器到外設(shè)和外...
直接存儲(chǔ)器存取(DMA)用來提供在外設(shè)和存儲(chǔ)器之間或者存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。無須CPU干預(yù),數(shù)據(jù)可以通過DMA快速地移動(dòng),這就節(jié)省了CPU的...
機(jī)器學(xué)習(xí)讓存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)提速N個(gè)數(shù)量級(jí)
因此,存儲(chǔ)器件變得容量越來越大,設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜。在開發(fā)存儲(chǔ)器件時(shí),怎樣做才能既滿足嚴(yán)苛的性能、功耗、面積(PPA)目標(biāo),又能確保產(chǎn)品按時(shí)上市呢?
【CW32模塊使用】AT24C02-EEPROM存儲(chǔ)器
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是...
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理分析
我們來思考一個(gè)問題,當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫進(jìn)單片機(jī)內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方,并且這個(gè)...
本文檔介紹了ADI公司(ADI)系列iButton熱時(shí)線器件(特別是DS1921、DS1922和DS1925)的演變,并概述了它們的主要區(qū)別和優(yōu)勢(shì)。 它...
專用集成電路(ASIC)是為滿足特定應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)和制造的一類集成電路。
2024-04-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器微處理器ASIC設(shè)計(jì) 853 0
MAX7651的擴(kuò)展數(shù)學(xué)子程序集合
MAX7651閃存可編程12位集成數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用8位CPU內(nèi)核進(jìn)行所有操作。在某些情況下,8 位分辨率不足以進(jìn)行數(shù)據(jù)操作。一個(gè)明顯的例子是使用具有12...
ENIAC 是電子管計(jì)算機(jī),時(shí)鐘頻率雖然僅有 100 kHz,但能在1s 的時(shí)間內(nèi)完成 5000 次加法運(yùn)算。與現(xiàn)代的計(jì)算機(jī)相比,ENIAC有許多不足,...
4000A系列高分辨率USB示波器的特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍
PicoScope 4000A系列高分辨率USB示波器提供2、4 或 8 通道三款示波器, 可輕松地分析復(fù)雜系統(tǒng)的音頻、超聲波、振動(dòng)和電源波形,分析復(fù)雜...
對(duì)時(shí)間測(cè)量精度的第一個(gè)要求源于需要根據(jù)天體測(cè)量確定海上經(jīng)度。由于地球自轉(zhuǎn),4 秒的時(shí)間測(cè)量誤差會(huì)產(chǎn)生 1 弧分的經(jīng)度誤差,或者在緯度接近 1 度時(shí)約為 ...
MM32G0140 I2C驅(qū)動(dòng)EEPROM
EEPROM全稱為EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是電可擦除可編程...
我們所說的FPGA配置電路,一方面要完成從PC上把bit文件下載到FPGA或存儲(chǔ)器的任務(wù),另一方面則要完成FPGA上電啟動(dòng)時(shí)加載配置數(shù)據(jù)的任務(wù)。
使用可參數(shù)化功能塊(例如FB20)進(jìn)行故障評(píng)估
這提供了這樣的優(yōu)點(diǎn),即不必將外部全局標(biāo)簽傳遞到FB以用于報(bào)警消息檢測(cè)的內(nèi)部所需邊緣評(píng)估和內(nèi)部所需存儲(chǔ)器位。
2023-11-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 849 0
采用GaN實(shí)現(xiàn)48V至POL單級(jí)轉(zhuǎn)換
在圖1所示的典型電信電源系統(tǒng)中,48VDC輸入電壓必須進(jìn)一步降低到中間母線電壓(在此例中為3.3V),然后用一個(gè)或多個(gè)降壓直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器降壓成...
2023-04-11 標(biāo)簽:處理器轉(zhuǎn)換器存儲(chǔ)器 848 0
本文對(duì)比了標(biāo)準(zhǔn)配置下穩(wěn)壓器與DS1859雙通道溫控電阻配對(duì)的相同穩(wěn)壓器的結(jié)果。DS1859通過可變電阻和溫控查找表(LUT)進(jìn)行溫度補(bǔ)償。因此,DS18...
臺(tái)積電引領(lǐng)新興存儲(chǔ)技術(shù)潮流,功耗僅為同類技術(shù)的1%
MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng),后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 848 0
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