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存儲技術(shù)

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當(dāng)前的磁帶機（庫）支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。

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存儲技術(shù)技術(shù)

一文了解新型存儲技術(shù)

萬物智聯(lián)時代的到來，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計算 (Edge Computing)等巨量運算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1527 0

光存儲技術(shù)的發(fā)展方向

光存儲技術(shù)是用激光照射介質(zhì)，通過激光與介質(zhì)的相互作用使介質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化，將信息存儲下來的技術(shù)。其基本物理原理是：存儲介質(zhì)受到激光照射后，介質(zhì)的某種...

2023-02-15 標(biāo)簽：存儲技術(shù)光存儲 1370 0

存儲技術(shù)的概念

存儲技術(shù)的概念人類文明的發(fā)展史，其實就是建立在存儲技術(shù)的演進之上的。在遠古時期，早期人類通過結(jié)繩記事、龜甲獸骨，點燃了人類文明的火種。后...

2023-02-15 標(biāo)簽：存儲技術(shù)磁帶 1735 0

存儲器技術(shù)發(fā)展概述

半導(dǎo)體存儲技術(shù)在電子設(shè)計中占有重要的地位，在幾乎任何包含處理器的系統(tǒng)中都會用到各種各樣的存儲器。隨著處理器的進化和發(fā)展，存儲技術(shù)也跟隨著不斷進步。另...

2023-02-06 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器存儲技術(shù) 2148 0

新型存儲技術(shù)：新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹

Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存，該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢，但是遠快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)的特性及使用方...

2023-01-15 標(biāo)簽：NAND 存儲器存儲技術(shù) 2693 0

TEEOS基礎(chǔ)特性安全存儲技術(shù)簡介

安全存儲是TEEOS重要特性之一，安全存儲主要用來為用戶保存敏感數(shù)據(jù)如密鑰等信息。用戶在使用安全存儲功能保存數(shù)據(jù)時會在TEE內(nèi)對數(shù)據(jù)進行加密，然后保存到...

2022-12-19 標(biāo)簽：存儲技術(shù)安全存儲器 emmc 1471 0

存儲技術(shù)的新動向：DDR5與DDR4 DIMMs比較

JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構(gòu)，認為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲器模塊（DIMM）過渡。

2022-12-05 標(biāo)簽：存儲器存儲技術(shù)DDR5 3969 0

數(shù)據(jù)庫性能翻3倍：虹科Redis企業(yè)版軟件的RoF技術(shù)是如何做到的？

虹科云科技，企業(yè)級云科技方案的引領(lǐng)者 Redis on flash簡介 Redis on Flash （RoF）是Redis的分層存儲技術(shù)，即將數(shù)據(jù)存放...

2022-11-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲技術(shù)數(shù)據(jù)庫 1321 0

全面解析存儲知識：RAID、CDP、集群、VTL虛擬帶庫等存儲技術(shù)

　　RAID （Redundant Array of Independent Disks）即獨立磁盤冗余陣列，RAID技術(shù)將多個單獨的物理硬盤以不同的方...

2022-11-22 標(biāo)簽：存儲技術(shù)RAID CDP 1014 0

DNA存儲技術(shù)如何實現(xiàn) DNA數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲的主要步驟

用DNA存儲信息的想法可以追溯到分子生物學(xué)出現(xiàn)的時期。生物化學(xué)家Frederick Sanger發(fā)明了Sanger測序法讓DNA序列可以測量，從此人類可...

2022-10-24 標(biāo)簽：存儲技術(shù)數(shù)據(jù)存儲 DNA存儲 2282 0

光儲存的基本原理及主要特點

信息資料迅速增長是當(dāng)今社會的一大特點。有人統(tǒng)計，科技文獻數(shù)量大約每7年增加1倍，而一般的情報資料則以每2年~3年翻一番的速度增加。大量資料的存儲、分析、...

2022-08-30 標(biāo)簽：存儲技術(shù)光盤光儲存 2500 0

存儲雙活的基本架構(gòu)及原理

采用存儲磁盤設(shè)備的卷鏡像技術(shù)實現(xiàn)兩站點間的數(shù)據(jù)實時同步。兩臺存儲設(shè)備上的LUN被虛擬化為一個虛擬的卷，主機寫操作通過卷虛擬化鏡像技術(shù)同時寫入這兩個存儲設(shè)...

2022-06-30 標(biāo)簽：存儲技術(shù)數(shù)據(jù)中心 2.7萬 0

TiFlash整體模塊分層及DeltaTree 引擎優(yōu)化方案

在 TiFlash 內(nèi)做 Rough Set Filter，跟一般的 AP 數(shù)據(jù)庫不同點，主要在還需要考慮粗粒度索引對?MVCC?正確性的影響。

2022-06-22 標(biāo)簽：cpu 存儲技術(shù) 4287 0

如何選擇合適的存儲架構(gòu)：集中式存儲or分布式存儲

分布式存儲使用多副本和糾刪碼技術(shù)實現(xiàn)數(shù)據(jù)保護。多副本方式（業(yè)界常用的多副本方式一般為2副本或3副本），其優(yōu)點是可靠性高，性能高；但缺點是存儲容量有效利用...

2022-05-06 標(biāo)簽：存儲技術(shù)分布式存儲 6826 0

江波龍電子車用存儲在智能汽車應(yīng)用匯演

　隨著智能汽車的高速發(fā)展，數(shù)據(jù)邊緣計算、高速讀寫性能、數(shù)據(jù)安全、數(shù)據(jù)的互聯(lián)網(wǎng)趨勢都在考驗存儲廠商的技術(shù)、質(zhì)量、創(chuàng)新、服務(wù)。

2021-05-21 標(biāo)簽：存儲技術(shù)DDR4 江波龍 3456 0

如何充分發(fā)揮SSD的優(yōu)勢？

在接口協(xié)議方面，隨著SSD的發(fā)明，NVMe協(xié)議應(yīng)運而生。相較于SAS、SATA的單隊列機制，NVMe最多可以有65535個隊列，并且直接采用PCIe接口...

2021-04-14 標(biāo)簽：接口協(xié)議存儲技術(shù)SSD 2151 0

如何用好你的SSD

由于SSD相對于HDD而言是一項新技術(shù)，再加上產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)規(guī)模和需求量的矛盾，目前價格相比HDD仍然偏高。那么如何降低SSD使用成本就變得非常重要。

2021-03-31 標(biāo)簽：cpu 存儲技術(shù)SSD 2834 0

常見的三種網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)解析

隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展，越來越多的企業(yè)使用計算機系統(tǒng)處理日常業(yè)務(wù)，從最早的服務(wù)器 /客戶機（Server/Clinet）模式，到今天的網(wǎng)絡(luò)計算（Networ...

2020-11-23 標(biāo)簽：存儲技術(shù)網(wǎng)絡(luò)存儲 7630 0

一文解析阻變存儲技術(shù)

RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)換的阻性存儲器（RRAM）作為集動態(tài)/靜態(tài)隨機存儲器和浮柵存儲器功能為一體的通用存儲器，是NAND技術(shù)后的下一代非易失性存儲（N...

2020-11-04 標(biāo)簽：存儲技術(shù)NVM 3568 0

全面解讀光存儲的基本原理、優(yōu)缺點、存儲類型

1898年荷蘭的Valdemar Poulsen發(fā)明了世界上第一個磁記錄設(shè)備：磁線錄音機，從此，開始了傳統(tǒng)的磁記錄應(yīng)用實踐。在隨后的一個多世紀(jì)里面，出現(xiàn)...

2021-03-25 標(biāo)簽：存儲技術(shù)光盤光存儲 3.2萬 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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