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標(biāo)簽 > 存儲技術(shù)
當(dāng)前的磁帶機(庫)支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。
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2018年存儲技術(shù)發(fā)展新趨勢 依然閃亮的對象存儲
基于高可擴展性和高耐久性的功能,對象存儲讓用戶能夠以低于主磁盤存儲的價位來訪問海量數(shù)據(jù),同時避免增加與高容量磁盤相關(guān)的RAID重建時間。
詳解各種多階光存儲的方案原理,展望多階光存儲技術(shù)研究進展
在傳統(tǒng)的光存儲系統(tǒng)中,二元數(shù)據(jù)序列存儲在記錄介質(zhì)中,記錄符只有兩種不同的物理狀態(tài),例如只讀光盤中交替變化的坑岸形貌。光盤信號讀出時,通過檢測坑岸邊沿從...
2018-06-21 標(biāo)簽:存儲技術(shù) 3945 0
中國上馬存儲器芯片制造引起全球的反響,恐怕2019年及之后會揭開面紗,露出“真容”。它對于中國半導(dǎo)體業(yè)具里程碑意義,實質(zhì)上是為了實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“自主可控”目...
專家學(xué)者共同探討實現(xiàn)存儲技術(shù)自主可控的問題 保障數(shù)據(jù)存儲安全
實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲中的關(guān)鍵部位和核心軟硬件的國產(chǎn)化,是從源頭上保證存儲技術(shù)自主可控的手段。特別是具有邏輯處理能力的核心芯片國產(chǎn)化,對實現(xiàn)自主可控提出了更高的要...
三星Z-SSD SZ985:滿足寫入密集型應(yīng)用需求,媲美Intel Optane
三星電子正式發(fā)布了已經(jīng)談?wù)摱嗄甑娜耑-SSD,首款產(chǎn)品型號“SZ985”,是其面向超級計算、AI分析等的最高級企業(yè)存儲,對標(biāo)Intel Optane...
芝奇TridentZ系列內(nèi)存,挑戰(zhàn)各種極限頻率
自從Haswell-E、Skylake支持DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)以來,DDR4這幾年已經(jīng)變成了市場主流,不過主流的DDR4內(nèi)存頻率一直提升補丁,也就從DDR...
沒了它,生活將一團糟:存款會弄丟,電話會失聯(lián),機器會癱瘓——存儲技術(shù)是現(xiàn)代社會的基石。高端存儲行業(yè)競爭中,中國正在打破美日的壟斷。因為在高端存儲領(lǐng)域的...
2018-06-12 標(biāo)簽:存儲技術(shù) 1771 0
超融合二級存儲市場處于領(lǐng)先地位的存儲供應(yīng)商Cohesity公司的發(fā)展情況
人們最初認(rèn)為HCI可以簡化虛擬桌面基礎(chǔ)架構(gòu)(VDI)的部署,但是也看到了在其他工作負(fù)載的采用也有所增加。超融合基礎(chǔ)設(shè)施(HCI)采用的用例是二級存儲。去...
基于FPGA并以Flash為存儲介質(zhì)的高速圖像數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計
針對某系統(tǒng)圖像數(shù)據(jù)量大、傳輸速率快的特點,提出了采用PCI總線協(xié)議完成PC與高速數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)之間的通信,利用LVDS總線協(xié)議傳輸數(shù)據(jù)并進行混合編幀的解決...
大數(shù)據(jù)似乎難以管理,就像一個永無休止統(tǒng)計數(shù)據(jù)的復(fù)雜的漩渦。因此,將信息精簡到單一的公司位置似乎是明智的,這是一個倉庫,其中所有的數(shù)據(jù)和服務(wù)器都可以被充分...
2017-11-01 標(biāo)簽:存儲技術(shù)大數(shù)據(jù) 4335 0
有了MAMR技術(shù),40TB硬盤容量將在2025年有望實現(xiàn)
西數(shù)認(rèn)為MAMR在2025年之前可以將硬盤的容量提高到40TB,甚至超過40TB,未來還會繼續(xù)增加。
2017-10-13 標(biāo)簽:存儲技術(shù)西部數(shù)據(jù)hdd 1988 0
Apple推出最新免費High Sierra重新構(gòu)造新的存儲方式
High Sierra是Sierra的后續(xù),引入最新的核心技術(shù)來優(yōu)化Mac的重要功能,它將塑造新的數(shù)據(jù)存儲新方式。
新技術(shù)內(nèi)存接口DDR5有望2019年量產(chǎn)
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。 替代型內(nèi)存崛起。 DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
隨著NAND閃存技術(shù)的不斷發(fā)展,基于閃存存儲的SSD已然成為市場的新寵兒,性能、體積、噪音、震動等方面都優(yōu)于HDD。雖然在容量、價格和數(shù)據(jù)安全性等方面比...
東芝表示:“西部數(shù)據(jù)所指出我們違反合約一事,我們認(rèn)為本公司秉承合約內(nèi)容,從未做出任何違反合約約定的舉措,西部數(shù)據(jù)對我們的指責(zé)也沒有任何根據(jù)?!?/p>
2017-05-31 標(biāo)簽:東芝存儲技術(shù)半導(dǎo)體芯片 2972 2
紫光目前生產(chǎn)基地晶圓廠已經(jīng)先后形成華中武漢、華東南京、華西地區(qū)成都的鐵三角布局,未來在華南地區(qū)的下一階段項目何時成形?外界也眾所矚目。而紫光下的這一盤大...
目前,NAND Flash市場被三星與東芝聯(lián)合的Toggle DDR陣營和英特爾與鎂光為首的ONFI陣營把持,三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國外巨...
2017-04-11 標(biāo)簽:存儲技術(shù)半導(dǎo)體芯片3DNAND 3948 0
IBM最新存儲技術(shù)研究成果驚人 1位的數(shù)據(jù)保存在一顆原子中
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)日新月異,同樣大小硬盤能儲存的數(shù)據(jù)越來越多,只是時間上的問題而已,人們似乎早就習(xí)以為常。但日前 IBM 發(fā)布一項最新進展,成果可謂相當(dāng)驚人。...
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