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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體資訊

Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 5154 0

是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測(cè)試而且無需焊接或探針

?無需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測(cè)試 ?寄生功率回路電感小于10n...

2025-03-14 標(biāo)簽：動(dòng)態(tài)測(cè)試是德科技寬禁帶半導(dǎo)體 381 0

深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響

深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...

2025-03-04 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 464 0

薛其坤院士領(lǐng)銜團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)高溫超導(dǎo)領(lǐng)域重大新突破

【DT半導(dǎo)體】獲悉，2月18日，南方科技大學(xué)舉行的高溫超導(dǎo)研究重大成果發(fā)布會(huì)上，由國家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)獲得者薛其坤院士領(lǐng)銜的南方科技大學(xué)、粵港澳大灣區(qū)量子...

2025-02-19 標(biāo)簽：高溫超導(dǎo)寬禁帶半導(dǎo)體 327 0

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用

幾十年來，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限...

2024-10-24 標(biāo)簽：電力電子 SiC GaN 408 0

鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時(shí)與杭州銀行達(dá)成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領(lǐng)投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場(chǎng)...

2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 1111 0

開關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 5375 0

西安電子科技大學(xué)馬曉華團(tuán)隊(duì)：蹚出寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新之路

來源：西安電子科技大學(xué) 6月24日，2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)在京揭曉，共評(píng)選出250個(gè)項(xiàng)目和12名科技專家。其中，國家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)2人，國家自然科學(xué)...

2024-07-02 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 796 0

8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布，計(jì)劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時(shí)，安世半導(dǎo)體的第一...

2024-07-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 4.4萬 0

安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴(kuò)產(chǎn)德國基地，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國漢堡...

2024-06-29 標(biāo)簽：SiC 寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 943 0

安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)...

2024-06-28 標(biāo)簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 967 0

安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)

半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮...

2024-06-28 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Nexperia 1368 0

安世半導(dǎo)體受邀參加2024第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇

在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域，寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢(shì)正在加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與落地應(yīng)用。制造技術(shù)的進(jìn)步，也讓其成本更有競(jìng)爭(zhēng)力。需求拉動(dòng)疊加成本降低，寬禁帶半導(dǎo)體的...

2024-06-19 標(biāo)簽：MOSFET 寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1324 0

注冊(cè)開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)

當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳...

2024-06-18 標(biāo)簽：英飛凌能源寬禁帶半導(dǎo)體 558 0

理解寬禁帶半導(dǎo)體的重要性和挑戰(zhàn)

功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶...

2024-06-07 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 1123 0

三安光電碳化硅業(yè)務(wù)迎來高成長(zhǎng)契機(jī)

碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產(chǎn)品向下滲透?！艾F(xiàn)在售價(jià)為20萬元以上的800V電動(dòng)汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅(qū)配置，或只配置主驅(qū)。

2024-04-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng) 658 0

西電與極海微電子舉行產(chǎn)學(xué)研就校企合作簽約儀式

3月15日，西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心舉行產(chǎn)學(xué)研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長(zhǎng)奮斗故事分享會(huì)，

2024-03-20 標(biāo)簽：微控制器集成電路寬禁帶半導(dǎo)體 1572 0

國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。

2024-01-24 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3033 0

三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷售協(xié)議，加速寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)拓展

據(jù)了解，三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。

2024-01-12 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 907 0

寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些

逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能，對(duì)小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行，已經(jīng)提出使用寬帶...

2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 1200 0

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紫光展銳是我國集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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