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      標簽　>　寬禁帶半導體

      寬禁帶半導體

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      文章：93個 瀏覽：8314次 帖子：1個

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      2025-05-09 標簽：MOSFET碳化硅寬禁帶半導體 5219 0

      是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試而且無需焊接或探針

      ?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現(xiàn)快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10n...

      2025-03-14 標簽：動態(tài)測試是德科技寬禁帶半導體 385 0

      深度分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“三個必然”及其產業(yè)影響

      深度分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“三個必然”及其產業(yè)影響 ? 一、功率半導體發(fā)展的“三個必然”的技術內涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“...

      2025-03-04 標簽：SiC功率半導體寬禁帶半導體 465 0

      薛其坤院士領銜團隊實現(xiàn)高溫超導領域重大新突破

      【DT半導體】獲悉，2月18日，南方科技大學舉行的高溫超導研究重大成果發(fā)布會上，由國家最高科學技術獎獲得者薛其坤院士領銜的南方科技大學、粵港澳大灣區(qū)量子...

      2025-02-19 標簽：高溫超導寬禁帶半導體 327 0

      克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用

      克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用

      幾十年來，硅（Si）一直是半導體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領域對現(xiàn)代電力需求應用的發(fā)展，硅的局限...

      2024-10-24 標簽：電力電子SiCGaN 408 0

      鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資

      杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時與杭州銀行達成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場...

      2024-08-12 標簽：半導體寬禁帶半導體 1112 0

      開關損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進軍光儲、家電市場

      電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看，GaN已經在...

      2024-07-04 標簽：SiCGaN寬禁帶半導體 5384 0

      西安電子科技大學馬曉華團隊：蹚出寬禁帶半導體技術創(chuàng)新之路

      來源：西安電子科技大學 6月24日，2023年度國家科學技術獎在京揭曉，共評選出250個項目和12名科技專家。其中，國家最高科學技術獎2人，國家自然科學...

      2024-07-02 標簽：寬禁帶半導體 796 0

      8英寸SiC投產進展加速，2025年上量

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      電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導體的第一...

      2024-07-01 標簽：功率器件SiC寬禁帶半導體 4.4萬 0

      安世半導體斥資2億美元擴產德國基地，聚焦寬禁帶半導體技術

      在全球半導體產業(yè)日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡...

      2024-06-29 標簽：SiC寬禁帶半導體安世半導體 945 0

      安世半導體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導體研發(fā)與生產

      在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創(chuàng)新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達...

      2024-06-28 標簽：碳化硅寬禁帶半導體安世半導體 967 0

      安世半導體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產品(WBG)

      半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮...

      2024-06-28 標簽：SiC碳化硅Nexperia 1372 0

      安世半導體受邀參加2024第三代半導體技術與產業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇

      在高頻高壓應用領域，寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢正在加速相關產品的研發(fā)與落地應用。制造技術的進步，也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低，寬禁帶半導體的...

      2024-06-19 標簽：MOSFET寬禁帶半導體安世半導體 1324 0

      注冊開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)

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      當今，氣候變化與如何應對持續(xù)增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳...

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      理解寬禁帶半導體的重要性和挑戰(zhàn)

      功率電子學在現(xiàn)代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶...

      2024-06-07 標簽：SiCGaN寬禁帶半導體 1123 0

      三安光電碳化硅業(yè)務迎來高成長契機

      碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產品向下滲透。“現(xiàn)在售價為20萬元以上的800V電動汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅配置，或只配置主驅。

      2024-04-11 標簽：電動汽車逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng) 660 0

      西電與極海微電子舉行產學研就校企合作簽約儀式

      3月15日，西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導體國家工程研究中心舉行產學研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長奮斗故事分享會，

      2024-03-20 標簽：微控制器集成電路寬禁帶半導體 1572 0

      國內外碳化硅產品標準比對分析

      國內外碳化硅產品標準比對分析

      碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽w材料。

      2024-01-24 標簽：SiC碳化硅寬禁帶半導體 3039 0

      三安與朗明納斯達成美洲獨家銷售協(xié)議，加速寬禁帶半導體市場拓展

      據(jù)了解，三安半導體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權。

      2024-01-12 標簽：SiCGaN功率半導體 908 0

      寬禁帶半導體技術的前沿發(fā)展有哪些

      寬禁帶半導體技術的前沿發(fā)展有哪些

      逆變器是將直流電轉換為交流電的電源電路。在應用設備中，為了實現(xiàn)節(jié)能，對小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實現(xiàn)逆變器的高速運行，已經提出使用寬帶...

      2024-01-03 標簽：MOSFET逆變器SiC 1200 0

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