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      標簽　>　寬禁帶

      寬禁帶

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      第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

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      UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結構，其內部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。

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      瑞能半導體如何才能在激烈的市場競爭中突圍

      2015年，瑞能半導體從恩智浦功率產品線獨立出來，如今已成為全球功率半導體的領導廠商，特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展，瑞能半導體...

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      貿澤電子Empowering Innovation Together系列最新節(jié)目，探討電源管理新技術

      本系列將重點關注每個月的行業(yè)技術熱點，并圍繞當今的關鍵技術趨勢及時推出播客、視頻、博客、文章和信息圖

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      2020-08-28 標簽：英飛凌功率器件寬禁帶 1370 0

      投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

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      根據(jù)Yole分析報告，GaN電力電子市場在2017-2023年間，預計將以55%的年復合增長率速度發(fā)展。另一份Yole市場技術報告指出，SiC電力電子市...

      2020-04-22 標簽：半導體三安寬禁帶 1402 0

      寬禁帶技術對未來的太陽能發(fā)電系統(tǒng)至關重要

      在使用的各種形式的可再生能源中，太陽能和風能已成為最常使用的能源，并負責產生大多數(shù)清潔可再生能源。

      2020-05-27 標簽：太陽能發(fā)電光伏可再生能源 1133 0

      第三代半導體材料有何優(yōu)勢

      日前，在紀念集成電路發(fā)明60周年學術會議上，中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導...

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      盤點寬禁帶與超寬禁帶半導體器件最新進展

      郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件，利用高界面質量的凹槽半懸空柵技術，器件的fmax達320GHz，在輸出功率密度一定的情況下，功率附加效率在30...

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      行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應（400千瓦時）的3...

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