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標簽 > 寄生二極管
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氮化鎵MOS管(GaN MOSFET)是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導體場效應管。它結合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性,具有高速開關速度...
Lg越大,P-WeLL的長度越大,P-WeLL的阱電阻越大,面對ESD的過沖電壓越高,開啟電阻Ron也隨之增大。同時載流子的穿透深度越大,其壽命越長,從...
2023-12-04 標簽:串聯(lián)電阻二極管ESD 3245 0
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布其適用于汽車和工業(yè)電機控制應用的MOTIX?系列再添新成員。
寄生二極管的方向如何判定? 寄生二極管是指在晶體管的基極和發(fā)射極之間,由于材料特性或設計上的原因,相當于一個二極管存在。所謂寄生二極管方向的判斷,就是要...
2023-11-30 標簽:寄生二極管 1371 0
一般主板上使用最多的是增強型的 MOS 管,NMOS 最多,一般用在信號控制方面;其次是 PMOS,PMOS 用在電源開關等方面,耗盡型幾乎不用。
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