SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

首先，計(jì)算開通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計(jì)算。由于計(jì)算公式會(huì)因波形的形狀而...

2024-05-29 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1882 0

常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS，所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。

2024-04-25 標(biāo)簽：電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 4979 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1004 0

淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個(gè)名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1433 0

如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品？選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。

2024-04-02 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻車載逆變器 2019 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 4177 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFE...

2024-03-13 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 870 0

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

在一般情況下，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。

2024-03-06 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路MOSFET 1.2萬 0

模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

模擬開關(guān)由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最...

2024-03-05 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)等效電容 4404 0

同步Buck和異步Buck的結(jié)構(gòu)對(duì)比 同步Buck的PCB布局要點(diǎn)

異步Buck變換器采用肖特基二極管作為續(xù)流管，而同步Buck變換器用MOSFET替代肖特基二極管進(jìn)行續(xù)流，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，所以導(dǎo)通損耗較...

2024-01-24 標(biāo)簽：pcbMOSFETBUCK 5008 0

基于AW329XX系列OVP的應(yīng)用設(shè)計(jì)方案

OVP芯片有這幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)：輸入電壓Vin、開關(guān)連續(xù)電流Isw、過壓保護(hù)電壓Vovlo導(dǎo)通阻抗Ron、快速關(guān)斷時(shí)間toff，以上參數(shù)在選型時(shí)需要特別關(guān)注。

2024-01-18 標(biāo)簽：過壓保護(hù)導(dǎo)通電阻OVP 1677 0

特斯拉12V到48V的配電系統(tǒng)改變

連接器被優(yōu)化了，用來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)線束橋接，并且我們能看到使用48V Efuse以后，整個(gè)配電單元的體積減小了。我們?cè)谀壳暗男畔砜矗?8V轉(zhuǎn)換到16V的專...

2023-12-18 標(biāo)簽：微控制器mcuMOSFET 1391 0

ADC中采樣開關(guān)引起的誤差的兩種因素分析

當(dāng)開關(guān)關(guān)斷的時(shí)候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對(duì)兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會(huì)產(chǎn)生一個(gè)offset，off...

2023-11-30 標(biāo)簽：三極管電容器MOS管 1580 0

附錄一芯片量產(chǎn)測(cè)試常用“黑話”

CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些...

2023-11-23 標(biāo)簽：芯片電路導(dǎo)通電阻 6909 0

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻RDS 1020 0

2023-11-09 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 2070 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：超結(jié)結(jié)構(gòu)

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET電容導(dǎo)通電阻 4780 0

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片MOSFET導(dǎo)通電阻 534 0