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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程,簡(jiǎn)單地說,就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動(dòng)作;
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UCC21541 5.7kVrms 1.5A/2.5A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...
UCC21530 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21530 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFE...
UCC20225-Q1 汽車2.5kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。...
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更...
2025-05-16 標(biāo)簽:晶圓封裝半導(dǎo)體制造 412 0
LM2103系列 具有 8V UVLO、死區(qū)時(shí)間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動(dòng)器用于雙通道或單...
LM2101 具有 8V UVLO 的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM2101 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。 *附件:lm2101.pdf SH 引腳上的...
2025-05-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝負(fù)電壓 247 0
UCC27614-Q1 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的汽車級(jí) 10A/10A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27614-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 10A,可縮短電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間,降低開關(guān)損耗并提高效率。UCC27614-Q1 的小傳播延遲通過改...
2025-05-15 標(biāo)簽:封裝電源電壓電源開關(guān) 268 0
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:封裝FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 254 0
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 Si...
LM25069 具有功率限制和電源正常功能的 2.9V 至 17V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM25069正熱插拔控制器提供對(duì)電源的智能控制 在從帶電系統(tǒng)背板插入和移除電路板期間的負(fù)載電壓,或 其他“熱”電源。LM25069 提供浪涌電流控制以...
在現(xiàn)代電子工業(yè)領(lǐng)域,依據(jù)使用環(huán)境、性能參數(shù)及可靠性標(biāo)準(zhǔn),電子器件可以被系統(tǒng)劃分為商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、汽車級(jí)、宇航級(jí)這幾大類別。這種嚴(yán)謹(jǐn)?shù)姆旨?jí)制度不僅明確界定...
翹曲(Warpage)是結(jié)構(gòu)固有的缺陷之一。晶圓級(jí)扇出封裝(FOWLP)工藝過程中,由于硅芯片需通過環(huán)氧樹脂(EMC)進(jìn)行模塑重構(gòu)成為新的晶圓,使其新的...
TPS2590 3V 至 20V、30mΩ、2-5A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2590 器件提供高度集成的熱插拔電源管理和卓越的 在負(fù)載由高達(dá) 20 V 的總線供電的應(yīng)用中提供保護(hù)。最大 UV 開啟 2.9 V 的閾值使 T...
TPS22932B 具有輸出放電功能的 3.6V、0.5A、55mΩ、80nA 泄漏負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
該開關(guān)由 8 個(gè) 3 位輸入模式控制。用戶可以選擇邏輯 功能 MUX、AND、OR、NAND、NOR、逆變器和非逆變器。所有輸入都可以連接到 V~在~或...
2025-05-13 標(biāo)簽:封裝逆變器負(fù)載開關(guān) 455 0
TPIC7218-Q1 汽車目錄 功率控制器和傳感器接口數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPIC7218-Q1 器件在單個(gè)封裝中集成了多個(gè) ABS 和 ESC 電子控制單元 (ECU) 所需的功能。此集成與 最大限度地減少外部組件可節(jié)省寶貴...
TPS27081A 具有可調(diào)上升時(shí)間的 8V、3A、44mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS27081A 器件是一款高側(cè)負(fù)載開關(guān),集成了 Power PFET 和 控制 NFET 在一個(gè)微型封裝中。 TPS27081A 的所有引腳均...
2025-05-12 標(biāo)簽:ESD封裝負(fù)載開關(guān) 308 0
TPS22930A 5.5V、2A、35mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22930 是一個(gè)小而低的 R~上~帶受控開啟的負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 1.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍...
2025-05-12 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 298 0
SM74611 0.5V 至 30V 智能旁路二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SM74611 器件是一種用于光伏的智能旁路二極管 應(yīng)用。SM74611 設(shè)備用于為 string 提供備用路徑 電流 (當(dāng)面板的某些部分在正常作期間被...
TPS22967 具有可調(diào)上升時(shí)間和輸出放電的 5.5V、4A、22mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22967 器件是一款小型、超低 R ~上~ 、單通道負(fù)載 帶受控導(dǎo)通的開關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8...
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