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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程,簡(jiǎn)單地說(shuō),就是把Foundry生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來(lái),然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線(xiàn)的過(guò)程和動(dòng)作;
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MULTIPKGLDOEVM-823 用于DBV、DRB、DRV 和 DQN 封裝的通用 LDO 線(xiàn)性穩(wěn)壓器評(píng)估模塊總結(jié)
MULTIPKGLDOEVM-823 評(píng)估模塊 (EVM) 可幫助您評(píng)估幾種常見(jiàn)線(xiàn)性穩(wěn)壓器封裝的運(yùn)行和性能,以便在電路應(yīng)用中使用。這種特定的 EVM 配...
2025-02-26 標(biāo)簽:ldo封裝線(xiàn)性穩(wěn)壓器 343 0
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車(chē)級(jí) 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車(chē)環(huán)境中為非車(chē)載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 691 0
產(chǎn)品介紹#ISO7720 堅(jiān)固的EMC、雙通道、2/0、增強(qiáng)型數(shù)字隔離器
ISO772x 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,具有符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000 VRMS(DW 和 DWV 封裝)和 3000 VRMS(D ...
產(chǎn)品介紹#TPS62160-Q1 采用 2x2SON 封裝的 3V-17V 1A 汽車(chē)級(jí)降壓轉(zhuǎn)換器
TPS6216x-Q1 是易于使用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,針對(duì)高功率密度應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型值為 2.25 MHz 的高開(kāi)關(guān)頻率允許使用小型電感器,...
2025-02-26 標(biāo)簽:電感器封裝直流轉(zhuǎn)換器 443 0
技術(shù)資料#ISO7721 堅(jiān)固的EMC、雙通道、1/1、增強(qiáng)型數(shù)字隔離器
ISO772x 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,具有符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000 VRMS(DW 和 DWV 封裝)和 3000 VRMS(D ...
2025-02-25 標(biāo)簽:封裝絕緣數(shù)字隔離器 589 0
利用新思科技Multi-Die解決方案加快創(chuàng)新速度
Multi-Die設(shè)計(jì)是一種在單個(gè)封裝中集成多個(gè)異構(gòu)或同構(gòu)裸片的方法,雖然這種方法日益流行,有助于解決與芯片制造和良率相關(guān)的問(wèn)題,但也帶來(lái)了一系列亟待攻...
EL7155系列高性能引腳驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用筆記
EL7155 高性能引腳驅(qū)動(dòng)器具有 3 態(tài),適用于許多 ATE 和電平轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這 3.5A 峰值驅(qū)動(dòng)能力使該器件成為驅(qū)動(dòng)高電容負(fù)載時(shí)的絕佳選擇。輸出引...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝引腳 407 0
技術(shù)資料#LMG3425R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)、溫度報(bào)告和理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET
該LMG3425R050集成了硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA...
2025-02-25 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器ti 694 0
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 527 0
技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...
技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...
技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...
2025-02-24 標(biāo)簽:封裝GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 709 0
技術(shù)資料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)
LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) S...
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 467 0
TI DRV7308 具有保護(hù)和電流檢測(cè)功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN),用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 450V 直流電源軌的三相 ...
微晶玻璃材質(zhì)作為封裝基板的優(yōu)勢(shì)
TGV 玻璃基板量產(chǎn)瓶頸在于特種玻璃原片質(zhì)量不穩(wěn)定,飛秒激光誘導(dǎo)蝕刻難處理缺陷玻璃,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)調(diào)困難,進(jìn)度緩慢。
鈾或釷等放射性元素是集成電路封裝材料中天然存在的雜質(zhì)。這些材料發(fā)射的α粒子進(jìn)入硅中時(shí),會(huì)在粒子經(jīng)過(guò)的路徑上產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這些電子-空穴對(duì)在電場(chǎng)的作用...
深入解析三種鋰電池封裝形狀背后的技術(shù)路線(xiàn)與工藝奧秘
在新能源時(shí)代,鋰電池作為核心動(dòng)力與儲(chǔ)能單元,其重要性不言而喻。而在鋰電池的諸多特性中,封裝形狀這一外在表現(xiàn)形式,實(shí)則蘊(yùn)含著復(fù)雜的技術(shù)考量與工藝邏輯。方形...
QLC SSD的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)及解決方法
在語(yǔ)言大模型(LLM)、推理大模型(如DeepSeek)等AI應(yīng)用爆火的當(dāng)下,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和訪(fǎng)問(wèn)速度、模型訓(xùn)練與推理效率等相關(guān)話(huà)題也逐步升溫,SSD在其中扮...
小小MOSFET,大有乾坤。在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET作為核心元件扮演著至關(guān)重要的角色,支撐從數(shù)據(jù)中心到通訊基站等各種開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。雖然其應(yīng)用廣泛且...
2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝開(kāi)關(guān)電源 617 0
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