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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)特性
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可通過(guò)基極電流開(kāi)啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應(yīng)用中,需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極...
2023-03-13 標(biāo)簽:分壓器RET開(kāi)關(guān)特性 1102 0
可通過(guò)基極電流開(kāi)啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應(yīng)用中,需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極...
今天呢,我們先來(lái)看看半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)特性,也就是用二極管和三極管構(gòu)成的一個(gè)簡(jiǎn)單電路,來(lái)模擬開(kāi)和關(guān)這樣的一個(gè)特性。
雙脈沖測(cè)試之開(kāi)關(guān)特性參數(shù)講解
功率開(kāi)關(guān)器件的規(guī)格書(shū)上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開(kāi)關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過(guò)靜態(tài)參數(shù)一體化測(cè)試機(jī)或者源表等設(shè)...
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)特性 4030 0
高速光耦合器及其開(kāi)關(guān)特性H11LxM、H11NxM
在光耦合器的歷史上,標(biāo)準(zhǔn)光晶體管與施密特觸發(fā)器輸出光耦合器的數(shù)據(jù)速度比較是顯而易見(jiàn)的。H11LxM和H11NxM 光耦合器提供了巨大的速度和獲得的改進(jìn)。...
2022-10-19 標(biāo)簽:光耦合器晶體管開(kāi)關(guān)特性 2232 0
MOS管作為開(kāi)關(guān)元件,同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。
2019-06-25 標(biāo)簽:MOS管開(kāi)關(guān)特性 1.5萬(wàn) 0
混合型轉(zhuǎn)換器利于降低EMI和MOSFET應(yīng)力的軟開(kāi)關(guān)特性
然而,在許多新型應(yīng)用中,比如48 V直接轉(zhuǎn)換應(yīng)用,IBC中沒(méi)有必要進(jìn)行隔離,因?yàn)樯嫌?8 V或54 V輸入已經(jīng)與危險(xiǎn)的市電隔離。在許多應(yīng)用中,要使用非隔...
2018-09-21 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)特性 2595 0
二極管的電容效應(yīng)和等效電路與開(kāi)關(guān)特性
事實(shí)上,當(dāng)PN結(jié)兩端加正向電壓時(shí),PN結(jié)變窄,結(jié)中空間電荷量減少,相當(dāng)于電容"放電",當(dāng)PN結(jié)兩端加反向電壓時(shí),PN結(jié)變寬,結(jié)中空間電荷量增多,相當(dāng)于電...
2018-06-22 標(biāo)簽:二極管等效電路開(kāi)關(guān)特性 2.8萬(wàn) 0
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