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標(biāo)簽 > 快充芯片
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芯片?恒功率控制,意味著無(wú)論負(fù)載變化如何,系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率,確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí),主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)...
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中,輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作,保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制,通過(guò)集成多維度安全防護(hù),防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?,在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,,停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典...
700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766,推薦功率為65W,代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動(dòng)時(shí),U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最...
當(dāng)設(shè)備溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),外置OTP功能會(huì)自動(dòng)觸發(fā),降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備,以防止過(guò)熱,這對(duì)于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長(zhǎng)設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測(cè)到溫度升高時(shí)...
20W快充方案JD6610C+PL2733C,JD6610B+MT6734A,JD6610A+FP6601AP5
JD6610C是一款專為簡(jiǎn)化USB Power Delivery 3.1(SPR)協(xié)議設(shè)計(jì)的控制器。這款控制器集成了USB Type-C接口和USB P...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
功能覆蓋IP6802、IP6824!納祥科技無(wú)線快充芯片NX7008可兼容Qi2.0協(xié)議
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX7008無(wú)線快充芯片手機(jī)無(wú)線快充發(fā)射端控制芯片,是一種用于管理無(wú)線充電過(guò)程的核心組件,它不僅決定了充電的速...
寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標(biāo)準(zhǔn),而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標(biāo)準(zhǔn)。電源的寬幅越大,輸出電壓隨負(fù)載電流變化...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上,升級(jí)增加U8609料號(hào),同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過(guò)壓保護(hù)功能,有需求的小伙伴趕緊看過(guò)來(lái)!
2025-02-08 標(biāo)簽:氮化鎵功率開關(guān)管快充芯片 459 0
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個(gè)MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過(guò)簡(jiǎn)單和小巧。
2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 569 0
PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)
PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢(shì)氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性,這意味著它可以在相對(duì)較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需要小型化且高...
相比傳統(tǒng)影視行業(yè),手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短,不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備,呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢(shì),在于...
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒(méi)有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說(shuō)是...
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
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