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損耗

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損耗，一般指損失，受損失或耗費的意思。在信號專業(yè)中指信號電平或強度的減少，通常用分貝表示。也指沒有實際用途的功率耗散。

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損耗技術

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在器件設計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...

2023-06-10 標簽：電源 MOSFET 開關電源 1884 0

耦合器使用中的常見故障有哪些？

耦合器作為射頻和微波系統(tǒng)中的重要器件，可能會遇到一些常見的故障。以下是一些常見的耦合器故障情況。

2023-06-09 標簽：阻抗匹配耦合器損耗 4828 0

做高速PCB，選材料要注意這5點

作為一名合格的、優(yōu)秀的PCB設計工程師，我們不僅要掌握高速PCB設計技能，還需要對其他相關知識有所了解，比如高速PCB材料的選擇。這是因為，PCB材料...

2023-05-23 標簽：pcb PCB設計損耗 959 0

當設計工程師知道了傳輸線的線寬越大，損耗越低這個真理之后，會不會突然冒出一個大膽的想法，只要設計的線寬很大很大的話，那么損耗就……嘿嘿嘿！

2023-05-11 標簽：損耗高速信號線寬 910 0

一文了解濾波器產(chǎn)品的選型技巧

濾波器的選擇主要從額定電壓、額定電流、頻率、體積以及損耗入手，下面就這些內(nèi)容進行簡單的介紹，希望對你在選型過程中有所幫助！

2023-05-09 標簽：濾波器頻率損耗 1493 0

淺談變壓器的損耗

磁滯損耗是鐵磁體等在反復磁化過程中因磁滯現(xiàn)象而消耗的能量。磁滯指鐵磁材料的磁性狀態(tài)變化時，磁化強度滯后于磁場強度，它的磁通密度B與磁場強度 H之間呈現(xiàn)磁...

2023-04-25 標簽：損耗磁性元件渦流損耗 2182 0

信號完整性之有損傳輸線(二)

本節(jié)分三部分描述PCB板的介質層帶來的信號損耗。包括理想的介質材料，現(xiàn)實中的介質材料分別施加直流信號和交流信號時的狀況。

2023-04-23 標簽：PCB設計信號完整性損耗 3128 0

淺談開關電源的八大損耗

能量轉換系統(tǒng)必定存在能耗，雖然實際應用中無法獲得100%的轉換效率，但是，一個高質量的電源效率可以達到非常高的水平，效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC的工...

2023-04-21 標簽：二極管 MOSFET 開關電源 1351 0

淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是...

2023-04-18 標簽：MOSFET emi 功率器件 2505 0

變壓器的效率計算公式實現(xiàn)變壓器最高效率的條件

變壓器的效率是指變壓器輸出功率與輸入功率的比值，通常以百分比表示。效率越高，變壓器消耗的能量就越少，也就是說輸出功率相對于輸入功率的損耗越小。

2023-04-08 標簽：損耗變壓器 1.3萬 0

OFDR測試光纖鏈路大插損怎么測？

高分辨率光學鏈路診斷儀（OCI）基于光頻域反射技術（OFDR），能輕松測試出光纖鏈路損耗情況。OFDR測試插損方式為，依據(jù)事件點兩側瑞利散射信號幅值差異...

2023-04-07 標簽：光纖衰減器信號 1225 0

半橋LLC電路中模塊損耗的影響

半橋電路上下橋臂的死區(qū)時間定為190nS，這個時間和LLC電路功率管的ZVS工作狀態(tài)，功率管驅動的可靠性密切相關，同時也影響諧振電流大小和模塊整機效率 ...

2023-03-23 標簽：損耗 LLC 諧振 4542 0

IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題？

功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導率和熱阻相同的情況下，會使得封裝體和裸芯的溫度更...

2023-03-20 標簽：封裝 IGBT 失效機理 1727 0

反激變換器吸收電路的損耗計算

由上篇文章介紹可知，當開關管關斷時漏感能量沒辦法傳遞到副邊去，漏感能量由原邊二極管D給吸收電容充電。假設漏感能量全部被RCD能量吸收，漏感中儲存的總的能...

2023-03-16 標簽：損耗吸收電路開關管 3107 0

IGBT損耗和溫度估算

為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數(shù)學模型及測試,建立了一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...

2023-03-06 標簽：IGBT 晶體管損耗 3388 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標簽：二極管 SiC 損耗 1.1萬 0

通過衰減器和統(tǒng)計模型實現(xiàn)失配損耗和失配不確定性

了解失配損耗對有損線路的影響、通過固定衰減器減少失配損耗的方法以及該誤差的統(tǒng)計模型。

2023-02-27 標簽：衰減器信號 RF 1753 0

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【導讀】與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IG...

2023-02-24 標簽：芯片二極管 IGBT 1233 0

DC/DC評估篇損耗探討-損耗因素

本文將探討工作條件和損耗增加之間的關系。損耗因素：此前介紹過在電源電路的很多部位都會產(chǎn)生損耗，整體損耗的構成部分--特定部位的損耗在某些工作條件下會增加...

2023-02-23 標簽：負載電流電源電路損耗 1035 0

DC/DC評估篇損耗探討-封裝選型時的熱計算示例(1)

在此前的文章中介紹了損耗的發(fā)生部位以及通過計算求出相應損耗的方法。從本文開始，將介紹根據(jù)求得的損耗進行熱計算，并判斷在實際使用條件下是否在最大額定值范圍...

2023-02-23 標簽：封裝損耗電源IC 1777 0

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