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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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第三半導(dǎo)體是什么?第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體的區(qū)別
第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件,從而提高電子設(shè)備的性能。
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。
該成果利用具有優(yōu)異液相分散性的石墨烯納米帶,實(shí)現(xiàn)了超凈單電子晶體管的制備,為進(jìn)一步研究液相石墨烯納米帶的自旋態(tài)和拓?fù)鋺B(tài)提供了可能。
臺(tái)積電將帶來全球第一個(gè)2D納米片晶體管,預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
對(duì)與更先進(jìn)的2nm制程,臺(tái)積電早在2019年就宣布對(duì)此研發(fā)。 去年,在5nm量產(chǎn)不久后,臺(tái)積電宣布2nm制程取得重大突破——切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gat...
2023-02-16 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體制造 2364 0
半導(dǎo)體工藝:計(jì)算機(jī)與晶體管技術(shù)的相關(guān)性
得益于MOSFET的平面式結(jié)構(gòu),我們可以在硅晶圓上同時(shí)制造出好幾個(gè)MOSFET。這意味著,只要把單個(gè)MOSFET的大小控制好,在相同面積的晶圓上可以多制...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET計(jì)算機(jī)晶體管 802 0
MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)符號(hào)和電學(xué)特性
現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET,學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。
使用具有模擬接地 (AGND) 和電源接地 (PGND) 的開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)如何處理?這是許多設(shè)計(jì)開關(guān)電源的開發(fā)人員提出的問題。一些開發(fā)人員習(xí)慣于處理數(shù)字G...
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征,IGBT 電源模塊逐漸成...
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有良好的電子特性,可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件,如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3554 0
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的絕對(duì)最大額定值
本文將介紹電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的絕對(duì)最大額定值相關(guān)的內(nèi)容。盡管標(biāo)題中有“電機(jī)驅(qū)動(dòng)器”字樣,但是絕對(duì)最大額定值的定義不僅局限于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,同樣適用于其他半導(dǎo)體元器件...
2023-02-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器晶體管電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1601 0
電路設(shè)計(jì)和EMC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵晶體管和二極管晶體管和二極管為什么會(huì)有那么多品種?第1章是關(guān)于晶體管和二極管的內(nèi)容。首先,我在ROHM官網(wǎng)上查了一下晶體管和二...
功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間的特性
功率場(chǎng)效應(yīng)管是一種可控硅晶體管,它是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管,具有較低的額定電壓、較大的漏電流和較慢的開關(guān)速度等特點(diǎn)。
2023-02-15 標(biāo)簽:三極管晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)管 1481 0
達(dá)林頓管就是兩個(gè)三極管接在一起,極性只認(rèn)前面的三極管。
對(duì)于DRAM,其主要由行和列組成,每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成,對(duì)于sdram的數(shù)據(jù),可以通過控制column和row就可以訪問s...
對(duì)于DRAM,其主要由行和列組成,每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成,對(duì)于sdram的數(shù)據(jù),可以通過控制column和row就可以訪問s...
晶體管的基極與發(fā)射極是同相關(guān)系。 當(dāng)基極電壓上升(或下降)時(shí),發(fā)射極電壓也上升(或下降),即基極電壓變化時(shí),發(fā)射極的電壓變化與基極電壓變化相同。
在這一小節(jié)中,我們?cè)敿?xì)分析BJT的共基組態(tài)電路。在BJT的共基組態(tài)中,“輸入端口”和“輸出端口”共用BJT的基極端子(故稱為“共基”),形成一個(gè)雙端口網(wǎng)絡(luò)。
集成電路(ic,integrated circuit)是一種把一類電路中所需的晶體管、阻容感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基...
晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開關(guān)電路,但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開關(guān)電路分為兩大類,一類...
2023-02-15 標(biāo)簽:開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 2110 0
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