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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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空調(diào)用電流連續(xù)模式PFC電路:利用MOSFET和二極管提高效率的案例
上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例,本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來,隨著表示全年能效比的APF(Annual Perform...
從本文開始將介紹在實(shí)際應(yīng)用電路中二極管和晶體管的特性和性能不同會(huì)帶來什么樣的差異、使用上有什么區(qū)分。首先以PFC(功率因數(shù)改善)為例開始,有些電子設(shè)備是...
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)芯片溫度
在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對雖然右側(cè)流程圖中沒有提及,但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說明。
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)
在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開關(guān)工...
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在實(shí)際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對最大額定值范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對最大額定值范圍內(nèi)。
實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)和準(zhǔn)備
從本章開始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)基于電路要求,參考技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格來選擇適合的晶體管。然而,實(shí)際試制后,非常有可...
2023-02-10 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計(jì)晶體管 500 0
MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語集
之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書,一般規(guī)格書(技術(shù)規(guī)格書)中都會(huì)記載電氣規(guī)格(spec),其中包括參數(shù)名稱和保證值等。
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...
漏電保護(hù)器電路原理圖及16個(gè)漏電保護(hù)器常見問題
圖中L為電磁鐵線圈,漏電時(shí)可驅(qū)動(dòng)閘刀開關(guān)K1斷開,每個(gè)橋臂用兩只1N4007串聯(lián)可提高耐壓。R3、R4阻值很大,所以K1合上時(shí),流經(jīng)L的電流很小,不足以...
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。
前篇對MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)特性 4042 0
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