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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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共源共柵放大器的增益是一個(gè)相對復(fù)雜的參數(shù),它受到多個(gè)因素的影響,包括晶體管的跨導(dǎo)、負(fù)載電阻、源電阻、以及電路的具體設(shè)計(jì)等。因此,無法直接給出一個(gè)具體的增...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效...
集成電路是一種將許多電子元件(如晶體管、電阻器和電容器等)集成到一個(gè)小型芯片上的技術(shù)。它是現(xiàn)代電子設(shè)備中最重要的組成部分之一。集成電路的概念提出于20世...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)...
有源偏置控制的設(shè)計(jì)應(yīng)用解決方案
為了制作高頻放大器,在共射極配置中所用的雙極型晶體管,有時(shí)是在假定增益晶體管的集射極電壓 (Vce) 和集電極電流 (Ic) 為特定值的情況下,由其小信...
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展
近期,美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...
2023-05-25 標(biāo)簽:充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 1449 0
柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源注意事項(xiàng)
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及,電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件,功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...
脈沖編碼器的作用是測量運(yùn)動(dòng)的數(shù)量和方向。它們被廣泛應(yīng)用于機(jī)械設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)床、電機(jī)控制、機(jī)器人等領(lǐng)域,用于實(shí)時(shí)監(jiān)測和控制物體的位置和速度。
示波器探頭是用于測量電壓信號(hào)的關(guān)鍵組件,它們的種類繁多,可以根據(jù)不同的測量需求選擇相應(yīng)的探頭。
光耦,也稱為光電隔離器或光電耦合器,是一種將光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子元件。光耦的核心原理是利用發(fā)光二極管(LED)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào),然后通過光敏...
對于DRAM,其主要由行和列組成,每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成,對于sdram的數(shù)據(jù),可以通過控制column和row就可以訪問s...
通過利用功率放大器減弱功放記憶效應(yīng)電路的設(shè)計(jì)
功率放大器非線性特性產(chǎn)生的失真分量不恒定,例如三階或五階交調(diào)的幅度、相位會(huì)隨輸入信號(hào)幅度和帶寬的變化而改變。這種失真分量依賴于輸入信號(hào)幅度、帶寬的現(xiàn)象通...
為了實(shí)現(xiàn)“超越摩爾”,Lux半導(dǎo)體公司已經(jīng)獲得了新的半導(dǎo)體工藝的種子資金,該工藝通過直接將裸晶片連接到薄的互連箔,將更好地集成硅芯片及其主板。
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